东芝发布UFS 2.1闪存：15nm MLC，读取速度850MB/s

2016年智能手机的内存、闪存容量双双翻倍，内存容量站上了6GB，闪存更夸张，iPhone 7起步就是32GB了，128GB才是主流配置，高配直接256GB，比很多人的SSD容量还高。在这背后，闪存厂商的新一代大容量eMMC/UFS闪存起到了关键作用，东芝日前正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1闪存，容量32GB到128GB，其中UFS 2.1使用的是15nm MLC闪存，读取速度高达850MB/s，写入也有180MB/s。

东芝推出新一代eMMC 5.1/UFS 2.1闪存

eMMC 5.1闪存虽然不是什么新玩意了，速度也比不上UFS，但是大量中低端手机还在用eMMC闪存，其实手机厂商不太乐意公布出来而已。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺，不过官方没确认是MLC还是TLC的，估计后者的可能性更大，毕竟成本更低。

东芝eMMC 5.1闪存容量32-128GB，连续读取速度320MB/s，连续写入速度140MB/s，分别比前代产品提升2%（东芝也真诚实）、20%，不过随机性能提升较大，读取、写入分别提升100%、140%。

UFS闪存上三星比其他公司抢先，不过其他厂商现在也追赶上来了，东芝推出的新品直接基于最新的UFS 2.1规范，使用了15nm MLC闪存，容量也是32GB到128GB，不过性能就更强大了，连续读取速度850MB/s，连续写入180MB/s，比前代提升40%、16%，随机读取、写入更是提升120%、80%。

值得一提的是，东芝这两款新品不仅使用自家的闪存，主控也是自己开发的，而且东芝还在自己开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6，看来目标是争取掌握所有核心科技啊！

话说回来，安卓阵营的厂商地位还是不如苹果，iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存，东芝现在对外提供的容量最多128GB，也没用3D NAND技术。

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