内存随机也比顺序访问慢，带你深入理解内存IO过程
问题1： 内存访问一次延时到底是多少？你是否会进行大概的估算？
在我们的这个故事中，你是故事的主角。你有一所房子，房子里有一个仆人，他每天帮你处理各种各样的图书数据。但是北京房价太贵，所以你的这个房子很小，只能放的下64本书。你家的马路对面，就是北京图书馆(你家房子虽然小但是地段还不错)，你所需要的所有的图书在那里都可以找到。图书馆有个管理员，他负责帮你把你想要的书找出来。
场景2：
场景3：
这四个场景里，我觉得你一定发现了不同情形下耗时的差异。
场景1和场景4花费的时间最多。因为图书管理员需要花时间坐电梯找楼层，需要花时间在楼内找书。
场景3次之，因为图书管理员直接就在楼层内，只需要花时间在楼内找书既可
场景2最快，因为只需要仆人帮你从客厅拿过来就好，连马路都不需要过。
之所以编造这么一个例子，是因为内存的工作方式和它太像了。接下来我们进入内存的实际分析。
在《带你理解内存对齐最底层原理》中我们了解了内存颗粒的物理构造以及IO过程，今天我们再来复习一下。
内存是由chip构成。每个chip内部，是由8个bank组成的。其构造如下图：
图3 bank内部物理结构
根据上面几张图我们可以大致了解内存的IO过程，在这个过程中每一步操作之间都有一些延迟，让我们来继续了解这些延迟。
在《从DDR发展到DDR4，内存核心频率指标其实基本上就没太大的进步》里我们提到内存的延迟很大程度是受核心频率制约的，你也应该记得我们提到了内存延迟一般是通过CL-tRCD-tRP-tRAS四个参数来标识的。我们今天来详细理解一下这四个参数的含义：
CL(Column Address Latency）：发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数
tRCD（Row Address to Column Address Delay）：打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数
tRP(Row Precharge Time)：发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。
tRAS(Row Active Time)：行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。也就是对下一次预充电时间进行限制。
要注意除了CL是固定周期数以外，其它的三个都是最小周期。另外上面的参数都是以时钟周期为单位的。因为现代的内存都是一个时钟周期上下沿分别各传输一次数据，所以用Speed/2就可以得出，例如笔者的机器的Speed是1066MHz，则时钟周期为533MHz。你自己的机器可以通过dmidecode命令查看：
# dmidecode | grep -P -A16 'Memory Device'
Memory Device
......
Speed: 1067 MHz
......
和“图书管理员”类似，内存芯片也有类似的工作场景：
实际的计算机的内存IO过程中还需要进行逻辑地址和物理地址的转换，这里忽略不表。
其中场景1和场景4是随机IO的情况，场景2无内存IO发生，场景3是顺序IO，。通过上面的过程描述我们可以得到结论。内存也存在和磁盘一样，随机IO比顺序IO要慢的问题。如果行地址同上一次访问的不一致，则需要重新拷贝row buffer，延迟周期需要tRP+tRCD+CL。而如果是顺序IO的话（行地址不变），只需要CL个周期既可完成。
我们接着估算下内存的延时,笔者的机器上的内存参数Speed为1066MHz（通过dmidecode查得），该值除以2就是时钟周期的频率=1066/2=533Mhz。其延迟周期为7-7-7-24。
随机IO：这种状况下需要tRP+tRCD+CL个时钟周期，7+7+7=21个周期。但是还有个tRAS的限制，两次行地址预充电不得小于24。所以我们得按24来计算，24*(1s/533Mhz) = 45ns 顺序IO：这种状况下只需要CL个时钟周期 7*(1s/533Mhz)=13ns
因为对于内存来说，随机IO一次开销比顺序IO高好几倍。所以操作系统在工作的时候，会尽量让内存通过顺序IO的方式来进行。做法关键就是Cache Line。当CPU发现缓存不命中的时候，实际上从来不会向内存去请求1个字节，8个字节这种。而是一次性就要64字节，然后放到自己的Cache中存起来。
用上面的例子来看，
如果随机请求8字节：耗时是45ns 如果随机请求64字节：耗时是45+7*13 = 136ns
开销也没贵多少，因为只有第一个字节是随机IO，后面的7个字节都是顺序IO。数据是8倍，但是IO耗时只有3倍，而且取出来的数据后面大概率要用，所以计算机内部就这么搞了，通过这种方式帮你避免一些随机IO！