富士通将推碳纳米管内存：55nm工艺，比闪存快一千倍

作为曝光率最高的纳米技术之一，什么东西只要跟碳纳米管沾边马上就显得高大上了。日本富士通公司日前宣布与美国Mantero公司达成合作协议，双方将共同推进碳纳米管内存（NRAM）研发、制造，这种内存的速度号称是普通闪存的1000倍，预计2018年底正式推出产品，制程工艺是55nm的。

在纳米技术研究领域，碳纳米管（也叫富勒烯，简称CNT）是一种很独特的材料，直径只有人类头发的5万分之一，能导热导电，硬度是钢铁的50倍，话说小编学生时代就经常听到以碳纳米管为基础的各种高科技，包括各种神器的电池。在存储领域，碳纳米管通过硅基沉底也能实现0、1变化，因此也可以存储芯片，而且是非易失性的，断电也不会清除数据。

NRAM存储的优势

相比普通闪存，NRAM存储芯片的优势太多了，读写速度是普通闪存的1000倍（Nanteo官网上说是1000倍，图表上是100倍），同时功耗更低，可靠性、耐用性更强，成本更低。

Nantero这次与富士通合作，后者将把NRAM内存整合到自家芯片中，预计2018年底推出，制程工艺为55nm。

不过话说回来，NRAM还是新技术，Nantero公司从2006年就说生产碳纳米管内存了，但是一直没什么进展。即便是跟富士通达成合作了，量产的NRAM芯片还是256Gb（32MB）大小的，容量还是太小了，只适合一些嵌入式领域。

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