三星已经攻克3nm工艺的关键GAA全能门技术

现在7nm工艺的战争台积电方面明显优势大于三星的，大部分厂家都向台积电下了7nm的订单，NVIDIA下一代GPU安培虽然会同时采用两家的7nm工艺，但是大部分还是会交给台积电生产，而且我们也知道台积电现在加大了对5nm制程工艺的投入，据称苹果已经把三分之二的A14处理器订单交给台积电了。

但台积电的胜利可能不是永远的，根据《韩国经济》杂志报道，三星现在已经向3nm制程迈出了第一步，他们已经攻克了3nm和1nm工艺所使用全能门（GAA）技术。三星的3nm工艺会使用GAA技术，而不是现在的FinFET，新的技术可以让芯片面积减少35%，功耗下降约50%，与5nm FinFET工艺相比，同样功耗情况下性能提升33%。

其实在一年前三星就开展了在3nm GAA工艺的工作，当时他们的目标是2021年实现量产，真是雄心勃勃，三星目标是要在2030年成为世界第一的半导体制作商。

GAA全能门与FinFET的不同之处在于，GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极，从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤，使用更高效的晶体管设计，再加上更小的节点尺寸，和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。