[转载]NMOS中LDD掺杂，而PMOS中不需要？

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原文作者：高冬晖

求助：为什么只在NMOS中LDD掺杂，而PMOS中不需要？谢谢

LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术,该技术很好地改善了沟道电场分布,避免了在器件漏端的强场效应,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命.然而,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了.

这是热电子效应的问题
先知道NMOS和PMOS的传导载流子不同，前者是电子，后者是空穴。电子的迁移率比空穴大很多，在同样的电场下可以获得更大的能量。在漏端和沟道连接处附近电场很强（峰值场强），强电场使电子加速成为“热电子”，而热空穴很难出现。热电子对衬底/氧化硅界面和氧化层有破坏作用，需要抑制。
LDD掺杂结构的作用就是减小漏端附近的峰值电场，从而抑制热电子效应。热空穴很难产生，所以就不用这种结构了.

这是0.35的技术吧，简单来说因为nmos容易有HCI的问题，但是pmos不会有.

随着栅宽度的不断减小,栅结构下的沟道长度也不断减小,晶体管中沟道长度的减小增加了源漏间电荷击穿的可能性,并引起不希望的沟道电流,所以引入了LDD,他不不限于NMOS,可以两种都做.

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