半导体常用英语词汇

8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？

答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。

9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？

答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而

光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.

10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？

答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。

②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。

11. 为何需要zero layer?

答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。

12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义?

答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。

13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？

答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。

②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）

14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?

答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)

②阱区离子注入（well implant）用以调整电性

③栅极(poly gate)的形成

④源/漏极（source/drain）的形成

⑤硅化物(salicide)的形成

15. STI 是什幺的缩写? 为何需要STI?

答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路.

16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明AA 的用途?

答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。