1.N/P MOS管的物理结构图

2.N/P MOS管的工作原理

3.N/P MOS管的抽象模型

4.典型门电路设计

1.cmos反相器设计

2.coms与非门与或非门设计

3.与或非门、或与非门设计

4.异或、同或设计

5.设计方法总结

参考资料

关于CMOS进一步的组合逻辑与时序逻辑设计请参考：

CMOS的宽/长比、传输门与三态门、锁存器与触发器、简单版图、竞争与冒险

前言：现代集成电路就是在硅晶片上制作CMOS电路，CMOS是在集成电路设计中，同时采用两种MOS器件NMOS管和PMOS管，并通常配对出现的一种电路结构。所以理解其原理以及基本构成门电路结构是必要的。

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor

COMS 互补金属氧化物半导体 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor

1.N/P MOS管的物理结构图

[1]以NMOS为例，在P在一块p型衬底(p-sub，衬底又叫Bulk或Body)上，通过选择掺杂形成两个的n 区，分别为源极(Source)和漏极(Drain)；衬底之上用SiO2做一块绝缘层，绝缘层之上用高掺杂的多晶硅(Poly-silicon)做栅极，称作多晶硅栅，即为栅极（Grid）；栅在源漏方向的长度称作栅的长L，垂直方向称为栅的宽W，需要注意的是，在数量上W比L要大。

上面的图中画出了MOSFET的三个极：源(S)、漏(D)和栅(G)，但其实MOSFET是个四端器件，因为还有衬底(B)没有引出管脚来。下图中将衬底引出管脚来：

在电路连接中，一般将MOS的衬底B与源S连接到一起，使其电位相等。如果衬底的电位与源电位不等，则会存在体效应，引起阈值电压的偏移。

如果不连在一起的话，其源和漏是完全对称的，也就是说源和漏是可以互换的。在MOS中，源为提供载流子的端，而漏为接收载流子的端。源和漏也正是依据这一定义来区分：NMOS中导电的载流子是电子，因此接到电路的最低电位以提供电子的是源极；而PMOS中导电的载流子是空穴，因此接到电路最高电位以提供空穴的是源极。

MOSFET中的导电沟道也是在衬底中形成：栅极与衬底之间隔有SiO2绝缘层，因此栅与源、漏、衬底之间不导通，而是形成平行板电容器，加电压时栅与衬底之间形成电场，在该电场的影响下衬底中形成导电沟道，MOS管就开始导通，因此叫场效应晶体管(Field Effect Transistor)。

集成电路中大规模应用的CMOS技术，要求在一块硅片上同时做多个NMOS和PMOS。但是NMOS与PMOS的衬底类型不同，这就要求在工艺上为其中一类晶体管做一个局部衬底，称为阱，这类晶体管就做在阱中。因此，目前采取的技术是：NMOS直接做在p衬底上，而在需要做PMOS的区域做一块掺杂的n区，称为n阱(well)，PMOS就做在这个阱中。　如下图：

2.N/P MOS管的工作原理

注意上图都把衬底与源极连在一起了。

MOS管分为增强型与耗尽型，以增强型NMOS管为例[2]。

（1）vGS=0

在漏源间加电压vDS，栅源无电压时，两个N 之间无法导通，因为漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结，而且不论vDS的极性如何总有一个PN结处于反偏状态，漏源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。如上图1(a)

（2）vGS>0

若vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。如上图1(b)

导电沟道的形成:

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏—源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，将两个N 区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。

上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

vDS对iD的影响：

漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，这里沟道最厚，而漏极一端电压最小，其值为VGD=vGS－vDS，因而这里沟道最薄，如图2(a)。但当vDS较小（vDS<vGS–VT）时，它对沟道的影响不大，这时只要vGS一定，沟道电阻几乎也是一定的，所以iD随vDS近似呈线性变化。

随着vDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当vDS增加到使vGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)时（疑问1：为什么夹断点的vDS电压是这个关系？），沟道在漏极一端出现预夹断，如图2(b)所示。再继续增大vDS，夹断点将向源极方向移动，如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区，故iD几乎不随vDS增大而增加，管子进入饱和区（疑问2：为什么“夹断”后还有电流并且电流饱和不变？），iD几乎仅由vGS决定。其iD随着vDS变化的图如图3左图。

增强型与耗尽型的区别：增强型需要vGS>VT时才会使得漏源电流产生，耗尽型则vGS>0即可，不存在阈值电压，不加电压导电沟道就有了。

原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na 或K (制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。

PMOS管与NMOS管相似，只是相反的是需要在栅上相对于源极施加负电压，栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。当达到强反型时(到达阈值电压VTP)，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的 P 型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样的vGS越负（绝对值越大），沟道的导通电阻越小，电流的数值越大[4]。其电流特性如下图2.7所示：