瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837
继VOOC闪充协议芯片之后，瑞芯微近日推出了两颗全新的通用快充协议芯片，分别是RK835和RK837。
RK835通用快充协议芯片
瑞芯微RK835是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片，TID：4325。用于电源角色的USB Type-C和PD物理层，并且支持E-Marker线缆供电，在超低功耗模式下，芯片耗电量低于10μA。RK835内部集成Arm Cortex-M0内核，60K Flash和1K RAM来实现PD和其他专有协议，可支持10万次以上的重复烧录。RK835具备以下特性：
内部集成的ADC可以连续地检测电压，电流，温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数
所有的GPIO均可配置成边缘触发中断，DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式
支持I2C接口和主从模式，内部集成了输出放电功能
DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，并内置了过流、过压和过热保护
< 图为RK835+AC-DC典型应用电路 >
RK835支持18到100W输出，支持光耦反馈和PI带I2C接口的电源IC，采用QFN3*3-16封装。
RK837通用快充协议芯片：支持恒压恒流
瑞芯微RK837是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片，TID：5141。同时，也通过高通QC4+认证，证书编号20210303222。RK837内部集成ARM Cortex-M0内核，64K Flash和2K RAM来实现PD和其他专有协议，可以支持10万次以上的重复烧录。具备以下特性：
支持USB Type-C和Type-A双接口，支持I2C接口
集成NMOS驱动，VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS，内部集成快速放电电路
内部集成高精度ADC，可实现3-22V以10mV精度输出，使用5mΩ取样电阻，可实现0.1-12A以12mA精度恒流
DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，芯片还内置了过流、过压和过热保护
< 图为RK837应用电路，支持1A1C输出，
采用QFN4*4-24封装>
瑞芯微的两款通用快充协议芯片，均采用了Arm Cortex-M0核心和大容量Flash，可以支持10万次以上的重复烧录，方便客户根据产品更换协议；均具备数字I2C接口，支持丰富的主流快充协议，能够快速便捷的与各类电源芯片对接。同时具备完善的保护功能，引脚支持过压保护，芯片内部支持完善的保护功能，可实现简单可靠的适配器设计。