在发展后互补金属氧化物半导体(CMOS)技术过程中,由于需要提高效率和性能,拓扑保护的铁磁涡旋,如斯格明子及其反粒子,在跑道逻辑记忆或神经形态器件中,作为孤子信息载体显示了巨大的前景。然而,铁磁体中偶极场的存在,限制了超小拓扑结构的形成,以及自旋力矩驱动下有害的斯格明子霍尔效应,一直阻碍了它们的实际应用。最近,反铁磁类似物,预测其能表现相对论动力学、快速无偏转运动和尺寸缩放,从而成为人们关注的焦点,但它们还没有在天然反铁磁系统中,得到实验证明。近日,来自新加坡国立大学的Hariom Jani & T.Venkatesan和英国牛津大学的Paolo G. Radaelli等研究者,在一种遍布地球的氧化物绝缘体且表面覆盖一层铂的α-Fe2O3中,发现了一系列拓扑反铁磁自旋织构。相关论文以题为“Antiferromagnetic half-skyrmions and bimerons at room temperature”发表在Nature上。更多精彩视频请抖音搜索:材料科学网。论文链接:https://www.nature.com/articles/s41586-021-03219-6