PIE工作内容(继续更新)

大家明显更喜欢这个,哈哈,那就继续更新这个吧!

61. WAT 电性测试的主要项目有那些?

答:①器件特性测试:VT, BV, Ioff, Ion,Ileak,Isub......;

②Contact resistant (Rc);

③ Sheetresistant (Rs);

④ Break down test;

⑤电容测试;

⑥Isolation (spacing test)。

62. 什么是WAT Watch系统? 它有什么功能?

答:Watch 系统提供PIE 工程师一个工具, 来针对不同WAT 测试项目, 设置不同的栏住产品及发出Warning警告标准, 能使PIE 工程师早期发现工艺上的问题。

63. 什么是PCM SPEC?

答:PCM(Process control monitor) SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格, 狭义而言则是指WAT 测试参数的规格。

64. 当WAT 量测到异时要如何处理?

答:①查看WAT 机台是否异常, 若有则重测之

②利用手动机台Double confirm

③检查产品是在工艺流程制作上是否有异常记录

④切片检查

65. 什么是EN? EN有何功能或用途?

答:由CE 发出, 详记关于某一产品的相关信息(包括TechnologyID, Reticle andsome split condition ETC….) 或是客户要求的事项 (包括HOLD, Split, Bank, Run to complete, Package….), 根据EN 提供信息我们才可以建立Process flow及处理此产品的相关动作。

66. PIE 工程师每天来公司需要Check 哪些项目(开门五件事)?

答:① Check MES系统, 察看自己Lot 情况

②处理in line hold lot.(defect, process, WAT)

③分析汇总相关产品in line数据.(rawdata & SPC)

④分析汇总相关产品CP test结果

⑤参加晨会, 汇报相关产品信息

67. WAT 工程师每天来公司需要Check 哪些项目(开门五件事)?

答:①检查WAT 机台Status

②检查及处理WAT hold lot

③检查前一天的retest wafer及量测是否有异常

④是否有新产品要到WAT

⑤交接事项

68. BR 工程师每天来公司需要Check 哪些项目(开门五件事)?

答:① Pass down

② Review urgent case status

③ Check MES issues which reported by module and line

④ Review documentation

⑤ Review task status

69. ROM 是什幺的缩写?

答:ROM:Read only memory唯读存储器

70. 何谓YE?

答:Yield Enhancement 良率改善

71. YE 在FAB 中所扮演的角色?

答:针对工艺中产生缺陷的成因进行追踪,数据收集与分析,改善评估等工作,进而与相关工程部门工程师合作提出改善方案并作效果评估。

72. YE 工程师的主要任务?

答:①降低突发性异常状况。(Excursion reduction)

②改善常态性缺陷状况。(Base line defect improvement)

73. 如何reduce excursion?

答:有效监控各生产机台及工艺上的缺陷现况,defect level 异常升高时迅速予以查明,并协助异常排除与防止再发。

74. 如何improve base line defect?

答:藉由分析产品失效或线上缺陷监控等资料,而发掘重点改善目标。持续不断推动机台与工艺缺陷改善活动,降低defect level使产品良率于稳定中不断提升。

75. YE 工程师的主要工作内容?

答:①负责生产过程中异常缺陷事故的追查分析及改善工作的调查与推动。

②评估并建立各项缺陷监控(monitor)与分析系统。

③开发并建立有效率的缺陷工程系统,提升缺陷分析与改善的能力。

④协助module 建立off-line defect monitor system, 以有效反应生产机台状况。

76. 何谓Defect?

答:Wafer 上存在的有形污染与不完美,包括

① Wafer上的物理性异物(如:微尘,工艺残留物,不正常反应生成物)。

②化学性污染(如:残留化学药品,有机溶剂)。

③图案缺陷(如:Photo 或etch 造成的异常成象,机械性刮伤变形,厚度不均匀造成                 的颜色异常)。
        ④ Wafer本身或制造过程中引起的晶格缺陷。

77. Defect 的来源?

答:①素材本身:包括wafer, 气体,纯水,化学药品。

②外在环境:包含洁净室,传送系统与程序。

③操作人员:包含无尘衣,手套。

④设备零件老化与制程反应中所产生的副生成物。

78. Defect 的种类依掉落位置区分可分为?

答:① Random defect :defect分布很散乱

②cluster defect : defect集中在某一区域

③Repeating defect : defect重复出现在同一区域

79. 依对良率的影响Defect 可分为?

答:① Killer defect=>对良率有影响

②Non-Killer defect =>不会对良率造成影响

③Nuisance defect =>因颜色异常或film grain造成的defect, 对良率亦无影响

80. YE 一般的工作流程?

答:① Inspection tool扫描wafer

②将defect data传至YMS

③检查defect 增加数是否超出规格

④若超出规格则将wafer 送到review station review

⑤确认defect 来源并通知相关单位一同解决

既然大家喜欢这些常识性的内容,那就慢慢把这些内容更新完了再做别的吧!毕竟读者导向才是王道,每天更新20条,大家抽空看看挺好,可以慢慢消化一下,呵呵

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