英特尔高通首次联手，打造20埃米制程
“新任CEO Pat对于建工厂的举措非常大胆。”
2021年7月27日，英特尔在工艺及封装技术大会上公布了最新的工艺路线图，同时还更改了产品的命名方式，比如10nm ESF工艺改名为Intel 7，7nm工艺改为Intel 4等等，而这一举动则是为了在制程规格的名称上与跟台积电、三星保持对等关系。
但最令人意外的是，英特尔公布了一个令人意想不到的客户：英特尔将为高通代工芯片，产品名为20A，将于2024年发布。这是历史上英特尔首次为高通代工芯片，此前，英特尔想要通过移动处理器攻占手机平台，而高通则想占据服务器和个人电脑市场，因此两家之间一直保持着复杂且敌对的关系。
之所以称之为20A，是因为该制程芯片采用的计量单位是埃格斯特朗，简称为埃。1埃等于0.1纳米，即百万分之一厘米，20A则为2纳米。英特尔高级副总裁 Sanjay Natarajan 还不忘炮轰一下台积电和三星。他表示，竞争对手使用的数字更多地与营销有关，因此英特尔也要让客户更清楚地了解到英特尔制程上的优势。与此同时，台积电正在研发3纳米制程，并预计在2023年正式发布。
英特尔表示，英特尔在芯片制造领域将迎来十年来的首个新设计。英特尔放弃了FinFET工艺，转向了GAA晶体管。而台积电和三星仍在使用FET工艺。
2021年1月，英特尔传奇老员工Pat Gelsinger宣布出任英特尔CEO。他是一位开发经验非常丰富的工程师，事实上英特尔的i486就是Pat在30年前所开发的。英特尔前任CEO Bob Swan更熟悉财务领域，然而对于英特尔这种基因里注满工程师文化的企业来说，反而让英特尔丧失了芯片市场的主导地位。
除了制定和高通联手打造芯片这个大胆的计划外，Pat还在2021年5月的时候表示，英特尔要在技术上超越台积电，并为此要升级墨西哥的Fab 11X工厂。该工厂于1996年建成，主要生产45纳米和32纳米制程，在芯片领域属于中低端产品，升级后很可能会成为上文提到的20A产品生产线。
Pat对于建工厂的举措非常大胆，2010年后，英特尔平均每5年开设一个新处理器芯片工厂。从2010年到2021年，英特尔仅建造了两个处理器芯片工厂：Fab 42和D1X。而Pat上任还不到半年，就宣布2023年将要建成位于爱尔兰的Fab 34以及Fab 11X。
Pat说到：“我们正在向华尔街公布大量细节，让我们承担责任。”