贴片MOS EMB20P03G SOP

贴片MOS EMB20P03G SOP-8 P沟道场效应管贴片MOS EMB20P03G的极限值：除非另有说明，TA=25℃参数符号数值单位漏极-源极电压BVDSS-30V栅极-源极电压VGS±25漏极电流-连续 TC=25℃ID-10A漏极电流-连续 TC=100℃-8漏极电流-脉冲IDM-40雪崩电流IAS-15雪崩能量EAS5mJ重复雪崩能量EAR2.5功耗 TA=25℃PD2.5W功耗 TA=100℃1工作结温和存储温度Tj,Tstg-55~150℃贴片MOS EMB20P03G的引脚图：

贴片MOS EMB20P03G的电特性：参数符号最小值典型值最大值单位漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-30V栅极-源极电压VGS(th)-1-2-3栅极漏电流VDS=0V,VGS=±20VIGSS±100nA栅极漏电流VDS=0V,VGS=±25V±500零栅压漏极电流VDS=-24V,VGS=0VIDSS-1μA零栅压漏极电流VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃-10静态漏源导通电阻VGS=-10V,ID=-10ARDS(ON)17.520mΩ静态漏源导通电阻VGS=-4.5V,ID=-7A2635正向跨导gfs24S输入电容Ciss1407pF输出电容Coss208反向传输电容Crss164栅源电荷密度Qgs3.2nC栅漏电荷密度Qgd4.9开启延迟时间td(on)10nS开启上升时间tr8关断延迟时间td(off)25开启下降时间tf6贴片MOS EMB20P03G的封装外形尺寸：