电弧打火机MOS管方案分析

惠海半导体-庞工15323519289

MOS管型号:HG021N10L-A

参数:100V25A(25N10)

内阻:25mR(VGS=10V)

结电容:839pF

类型:SGT工艺NMOS

开启电压:1.4V

封装:TO-252

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