DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？

DRAM制造工艺上的1x、1y、1z1z之类的代表的是什么？DRAM产品目前处在10-20nm工艺制造的阶段，并且由于DRAM制程工艺进入20nm以后，制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成类似1x、1y、1z的定义。

1x-nm制程相当于16~19nm；
1y-nm制程相当于14~16nm；
1z-nm制程相当于12~14nm。
而在早前，美光发布了其最新的1α DRAM 制程技术，这代表着业界DRAM技术的最高水平。对于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技术将内存密度提升了 40%。
采用该制程技术的LPDDR5产品将在实现更高性能同时达到更好的功耗表现，为一共行业提供15%节能的DRAM平台，帮助5G手机实现更长续航表现。1α 工艺制程提供了从8Gb～16Gb的密度，DDR4和LPDDR4产品也可以使用该新工艺来生产。所以针对有着存量市场的客户而言，可以采用更低成本实现系统性能提升，例如数据中心等。
这个1α又指的是什么？除了1α，美光曾经公布的演进路线图中，在1α之后会是1β和1γ。
1α则是DRAM制程在1z之后的一个演进，根据现阶段所知的消息，1α的制造工艺大致对应于10-12nm的工艺。
1α-nm可能对应的是更小的12~14nm，
1β-nm可能对应的是10~12nm，
1γ-nm可能对应的是10nm。
当然，相比计算相关器件，DRAM在制程演进上更加困难。美光持续推进更高工艺，不仅能够提供更低的功耗，还能够为产品提供更好的密度。
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