SOI 晶体材料/砷化镓（GaAs）晶体材料/氧化锌（ZnO）晶体材料

SOI 晶体材料描述：SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。外形尺寸4英寸；6英寸；8英寸工艺Smart cut; Bonding; SIMOX类型N/P电阻率可选顶层单晶厚度0.22～50μm埋氧层0.4～4μm基底层厚度100～500μmTTV<3μmParticle<10@0.3μm砷化镓（GaAs）晶体材料掺杂：Si导电类型：导电类型生长方法：VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法)晶向：(100) 0°±0.5°，(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A尺寸：25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A，可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光：单面或双面氧化锌（ZnO）晶体材料晶体结构六方晶格常数a=3.252Å    c=5.313 Å密度5.7（g/cm3）硬度4（mohs）熔点1975℃热膨胀系数6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c热 容0.125 cal /g.m热电常数1200 mv/k @ 300 ℃热 导0.006 cal/cm/k透过范围0.4-0.6 um > 50% at 2mm晶向<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º尺寸（mm）25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底表面粗糙度Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光单面或双面相关产品目录：Bi2-xTlxTe3 - Thalium alloyed Bi2Te3 crystals 钛合金-二碲化铋晶体Bi2-xTlxTe3 - Thalium alloyed Bi2TeNbTe2 crystals 二碲化铌晶体InTe 碲化铟晶体ZrTe2 二碲化锆晶体2H-MoTe2 2H-二碲化钼晶体 (Molybdenum Ditelluride)GaTe 碲化镓晶体 (Gallium Telluride)CoTe2 碲化钴晶体 (Cobalt ditelluride)FeTe 碲化铁晶体TlGaTe2 碲化镓铊晶体PtTe2 二碲化铂晶体CuFeTe Crystals 碲化铁铜晶体SnTe2 二碲化锡晶体Bi2Se1.5Te1.5 碲化硒铋晶体Bi2Te3 碲化铋晶体二碲化三铁（锗掺杂）晶体 Fe3GeTe2（99.995%）二碲化铂晶体 PtTe2二碲化钯晶体 PdTe2二碲化钼晶体（99.995%）碲化锆 ZrTe3碲化锡 Sb2Te3二碲化钽 TaTe2碲化砷 As2Te3二碲化钨晶体（99.995%）二碲化钛晶体（99.995%）二碲化铌晶体（99.995%）二碲化钼晶体（99.995%）二碲化铪晶体（99.995%）碲化铋晶体（99.995%）yyp2021.1.19