激动人心！我国又一半导体设备研制成功

12月4日，超芯星官方消息显示，江苏超芯星半导体有限公司（简称“超芯星”）国内首台HTCVD碳化硅(SiC)单晶生长设备研制成功。

碳化硅在半导体领域应用广泛，是半导体材料的第三代发展。碳化硅功率半导体器件为更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的下一代电力电子技术的进步提供了机遇，在智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域具有重大的应用前景和产业价值。

二十世纪九十年代以来，美、日、欧和其他发达国家为了保持航天、军事和技术上的优势，将发展碳化硅半导体技术放在极其重要的战略地位，相继投入了大量的人力和资金对碳化硅材料和器件技术进行了广泛深入的研究，旨在提升其装备系统的能力和减小组件的体积。目前，国际领先企业已经开始部署市场，全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。

“十二五”初期，我国掀起了研发第三代功率半导体器件领域的热潮；“十三五”期间，我国掀起了第三代功率半导体材料和器件产业化的浪潮。江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Semiconductor Co Ltd ）是国内领先的第三代半导体企业，致力于6英寸碳化硅衬底的研发与产业化，通过整合海外创新技术与国内产业资源，引进海归人才和外籍专家，培养了一支实力雄厚的高层次研发团队。

据了解，超芯星还完成多轮融资，其中，种子轮由个人天使投资人严宗华完成，天使轮由同创伟业和磊梅瑞斯完成。今年9月，超芯星还宣布完成A轮融资，投资方为南京扬子区块链股权投资基金。