CPU制程介绍

　　参考：https://en.wanweibaike.com/wiki-Die_shrink

1、制程

　　节点分为主流节点（Main ITRS node）和半节点（half-node），每一个节点0.7x。

包括：7、10/12、14/16、20/22、28/32、40/45、55/65、110/130、150/180nm

　　其中半节点为12/20/28/40nm等。

2、3D结构

　　FinFET：英特尔在22纳米的第三代酷睿处理器上使用FinFET工艺，随后各大半导体厂商也开始转进到FinFET工艺之中，包括台积电16nm、12nm、10nm、三星14nm、10nm以及格罗方德的14nm、12nm。

　　12nm FinFET：台积电在16nm工艺的基础上优化推出12nm，打压三星、格罗方德的14nm工艺。

　　12nm LP：格罗方德对14nm的改进版

　　11nm（2017年）： 三星11 LPP工艺，是14nm、10nm 的融合，一方面采用 10nm BEOL(后端工艺)，缩小芯片面积，另一方面则沿用 14nm LPP 工艺的部分元素。骁龙665是前年推出骁龙660的升级版，采用三星11nm LPP工艺制造。