(8条消息) 信号完整性专题【1】
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1. 概述
电源完整性： 如何保证电源分配系统（Power Distribution Network—— PDN）满足负载芯片对电源的要求，即为电源完整性。
解释一下，即电源调整系统为各部分电路提供稳定正确的工作电压，使系统的各部分能在负载电流发生变化时依然能够保持稳定。能够对系统因状态变化或者受到某些影响（比如：电压波动、串扰、反射、辐射、噪声等）进行有效抑制。
PDN 系统的作用：
（1）为负载提供干净的供电电压；
（2）为信号提供低噪声的参考路径（返回路径）；
（3）减轻电磁干扰（EMI）问题。
理想的电源系统的阻抗为 0 ，但是实际中是存在各种各样额噪声，电路是在一定程度的噪声容限下工作的，如果电源的噪声超出了系统允许的范围，就有可能导致系统不能按照既定的方式正常运行。
当芯片内部的晶体管的翻转的时候需要从 PDN 系统汲取电流，只要芯片端的电源分配网络的输入阻抗足够低，那么在这个过程中的压降也会降低，保持芯片电源的稳定（在噪声容限内波动不影响芯片的正常工作）
2. 造成电源完整性问题的原因
先分析一下影响电源完整性的原因，找到了病根，才好对症下药。
随着芯片的开关速度越来越快（上升时间越来越小），芯片内的开关管不可能同步完成转换，当一部分的晶体管已经完成稳定转换，而另一部分则还在转换之中，状态的不同步就造成电源早上在芯片内部传递，可能导致某些不定态的晶体管输出状态错误。
芯片的开关速度不断提高，导致瞬态电流和功耗都随之增加。
电源分配系统的噪声来源：
| 编号 | 原因 |
|---|---|
| 1 | 电源稳压芯片自身的输出存在噪声，DC-DC 的输出纹波就比 LDO 大 |
| 2 | 电源的输出无法对负载电流的快速变化实时响应，造成电压跌落 |
| 3 | 电源路径和地回路都存在一定的阻抗，电流经供电回路不可避免的存在压降，瞬态电流的变化就造成负载电压的波动 |
| 4 | 高速信号通过过孔换层引起电源噪声 |
3. PDN 系统
电源分配网络包括：电压调整模块（Voltage Regulator Module）到电路板上各部分电源之间的互相连接，具体为电路板上的电源平面、地平面、连线、电缆、接口
、电容等。
PDN 系统模型如下图所示，从左往右依次是 PCB 的 PDN，芯片封装的 PDN。
4. PDN 之 RLC
4.1 电阻（R）
电阻是表征导体对直流电流的阻碍作用。当回路中，一段导体有电流流过时，电阻的作用表现为电能转化为热能（I^2 R），在导体的两端产生一定的压降（U = IR）。电阻的大小与导体的材料，长度，横截面积，温度有关。
电源分配系统上的电阻产生的损耗会导致电能转换为热能被丧失掉，同时温度的升高又对电路或一些器件造成影响，从而影响系统的稳定性和可靠性。如果某些部分电流持续增大甚至会导致该部分的电路烧毁。
下图为电阻在低频和高频下表现出来的特性：
4.2 电感（L）
电感是表征导体对交变电流阻碍作用的物理量。当导体中有电流流过时，会在导体的周围形成磁场。当电流变化时，周围的磁场也会发生变化，在导体的两端形成感应电动势，形成的感应电动势形成的电流反过来阻碍原有电流的变化。即电感是：通直流，阻交流。这样形成的电感称之为自感（L）。当两个支路距离比较近，两个支路之间的互相影响称之为互感（M）。
如上图所示的一个完整回路，Ia 表示正向的电源回路，Ib 表示方向的地回路。两个回路各自存在自感，而互相之间又存在互感。当回路上的电流发生变化时，在电感的周围就形成磁场，电流变化增大，电感增强，而互感是阻碍自感的变化的。
如上图的公式，电流的变化必然造成电路上电压的变化，对于正向，造成的问题就是稳压器的输出与芯片的输入端电压不一致，V 就是电源路径上的噪声，造成电源轨道塌陷。而在返回的回路上（一般是地），因为存在一个 V 大小的电压，导致地平面发生变化，造成地弹噪声。
可知： 由于电流变化引起的感应电动势的变化是产生电源噪声的原因，如何减弱这种影响，也就是有效的对系统的电源完整性进行控制。
措施：
（1）尽量减小回路中电流的变化率，稳定负载的变化造成电流的瞬变，稳定电流的大小；
（2）减少电路走线、接线的电感，这就是走线尽可能短、宽的原因，减少电路本身的自感。
4.3 电容（C）
去耦电容是目前电路中解决电源噪声的主要方式，此处也主要是对针对电容的去耦作用。
4.1.1 电容的储能作用
如下图，上电过程中，电源对电容进行充电，一段时间之后电容就存储了一定的电荷量（相当于蓄水池）。如果负载的电流保持不变，即负载上的电压是稳定的，因此电容两端的电压也是恒定的且等于负载两端的电压，此时 Ic = 0，负载的电流由 Io 提供。
如果负载电流突然发生变化，而晶体管的切换速度极快，稳压源的输出跟不上这种变化，Io 无法及时变化满足负载的变化，就会拉低供电的电压，这时，电容也感知到两端电压的变化，这样电容的变化对应着有电流的产生，Ic 不再为 0，就可以为负载提供一定大小的电流，计算公式如下图。这个过程中，电容分担了稳压源的一部分输出电流。
4.2.1 阻抗
如下图，从右往左看，我们可以把电源和电容复合看做是一个整体的稳压源。
我们要达到的目的是，AB 两点之间的负载电流发生变化，都要尽可能让 AB 两点的电压保持稳定。
对于这个电源模型，我们等效为上述的公式，就可以清晰的知道 I 发生变化，而 V 几乎不变，这就要求阻抗 Z 足够小。电容的特性是：阻直流，通交流。从这个角度来看，耦合电容一定程度上降低了整个电源系统的阻抗。
去耦的关键是做好电容种类和数量的搭配，并非一味的增加总容量。
4.3.3 简化模型
实际的电路之中，电容不仅仅是电容，还有一些等效的参数，如下图所示：
在不同的频段，电容表现出不同的特性。电容的容抗如下;
fo 为电容的谐振频率，处在谐振点，电容呈现纯阻特性，小于谐振频率时，呈现容性，大于谐振频率，呈现感性。
然而去耦电容都有一定的工作频率，只有在谐振点的附近，电容才具有最佳的电容特性。
电容的阻抗特性如下图：
不同的电容有不同的谐振频率，如果工作的频率变化范围比较宽，一般采用大电容和小电容并联一起使用。电容越大，谐振点越低。
4.3.4 品质因数（Q）
RLC 的串联电路 Q 值定义为：电路串联谐振时，感抗/容抗与纯电阻的比重。Q 值描述的是电路的选频特性，计算公式如下：
Q 值越大，电路的频率选择性越好，允许通过的电流频段越窄。但是在电源去耦的时候，负载芯片上有瞬态电流需求时，去耦电容要立刻给与补偿，如果 Q 值很大，可以流过电容的补偿电流就会变窄，影响电容人的去耦能力，一般用于电源去耦的时候，选择 Q 值较小的电容。一般在板级滤波的时候，会放置一些容量较大的钽电容或电解电容，这两类电容的额 Q 值较低，可以提供比较宽的有效去耦频率范围。
4.3.5 电容并联
（1）相同容值的 n 个电容并联合后，谐振频率不变，阻抗点的阻抗变为了原来的 1/n。
（2）不同容值的电容并联，因为每个电容的谐振频率不一样，当工作频率处于两个谐振频率之间，一些电容表现为容性，一些电容表现为感性，就构成了一个 LC 并联的电路，LC 并联谐振的时候，在两个电容的自谐振频率点之间出现并联谐振峰，如下图所示：
为了使整个 PDN 系统的阻抗小于目标阻抗，必须严格控制并联谐振峰的大小。
4.3.6 去耦电容的配置方式
（1）Big-V方法：通常的做法就是在芯片每个供电引脚的周围添加几个 0.1uF 的电容，另外再增加几个百微法级别的板级滤波电容。但由前文的介绍可知，同一类型的电容并联使阻抗降低，但跟大电容并联后依然容易形成并联谐振峰，很有可能在 LC 并联形成的并联谐振峰超过了系统的目标阻抗，这个是我们不希望看到的。
（2）Multi-Pole：使用多种容值的电容并联起来，形成去耦网络。主要分为两种方式：在十倍程的范围内选择一种电容还是三种电容。
| 十倍程一种电容 | 十倍程三种电容 |
|---|---|
| 10uF - 1uF - 0.1uF | 10uF - 4.7uF - 2.2uF - 1uF - 0.47uF - 0.22uF - 0.1uF |
使用 Multi-Pole 方式有比较好的阻抗曲线平坦度，能够满足阻抗一直低于目标阻抗。
各种电容的作用范围如下：
在 PDN 系统中，一般要选择等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）比较低的电容来作为去耦电容。
4.3.7 去耦电容的摆放位置
去耦电容的连接方式一段连接芯片的电源引脚，另一端连接地，针对芯片的复杂度和通信速率，分为引脚去耦和平面去耦两种方式。
电容的摆放根据容值的大小放置的位置也有区别，因为不同电容的去耦半径是不一样的，如果摆放的位置已经超出了电容的去耦范围，那么电容的去耦作用也就失效了，所以，根据去耦半径的范围，小电容应该距离芯片的供电引脚近一些，而大电容相对远一些。
，
去耦电容的安装核心是减小安装电感。对于在电路板上的连接和过孔的方式是有一定的要求的。原则是：电容引线尽可能的短，电容单独打孔，引线尽可能和焊盘的宽度一致，电源和地之间的回路尽可能小。
上图的（2），（3）是推荐的使用方式，（1）引线又细又长，无疑增加了引线的电感，这与去耦的初衷是相违背的，应该杜绝，（4）是的摆放位置最好，但是占用 PCB 的面积。
4.3.8 目标阻抗设计
目标阻抗法是目前最具有可操作性的 PDN 系统的去耦方式，核心思想是：利用电流的变化量、阻抗、电压变化量之间的线性约束关系。
PDN 系统的等效模型：
约束关系： ∆V= (Z * ∆I)，根据稳压芯片的输出，∆V 我们是可以计算的，只要能够确定负载芯片的最大瞬态电流变化量，那么阻抗 Z 的大小也就对应可以控制，这个最大阻抗就是 PDN 系统的设计目标，系统的阻抗要在工作的频段内低于目标阻抗。目标阻抗的计算方式如下：
参数介绍：
| 参数 | 解释 |
|---|---|
| Ztarget | 目标阻抗 |
| Vcc | 芯片的供电，比如常见的：5V/3.3V/1.8V等 |
| Ripple | 允许的电压波动，比如±5%，±3 等 |
| ∆Imax | 负载芯片的最大瞬态电流 |
为了保证信号的完整性，电源分配系统的阻抗必须低于目标阻抗。
5. 总结一下
本文主要是个人在学习电源完整性过程中的一些笔记总结，用于经常复习，参考的连接在文末已给出，感谢他们。本人能力有限，表述记录的过程中难免有疏漏，欢迎大家积极交流讨论。
解决直流压降的核心是：尽可能增大供电电路上的过流面积，采取的措施有加宽电源层，地平面的宽度，我们可以见到一般高速复杂的 PCB 都需要提供单独的电源层和地层；另外就是减少电源的回路面积，缩短电源到芯片的距离，增加铜箔厚度等措施。