10nm 马上淘汰？三星规划芯片制程路线：2022 年要上3nm
日前，三星电子在位于美国的 2018 年三星半导体代工论坛上，公布其全面的芯片制程技术路线图，目前已经更新至 3nm 工艺。
在路线图中，三星公布 7nm LPP（7nm Low Power Plus）、5nm LPE（5nm Low Power Early/Plus）、4nm LPE/LPP（4nm Low Power Early/Plus）和3nm GAAE/ GAAP（3nm Gate-All-Around Early/Plus）工艺技术的计划。其中 Low Power 指的是低功耗，Gate-All-Around 即 GAA，指全环栅技术。Early 为前期，Plus 为增强版。
据介绍，三星的 7nm LPP 将成为该公司首款使用EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为 LPE 和 LPP 两代，不过 7nm 算是个例外，没有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 将于 2018 年下半年量产，2019 年的高通和三星芯片有望采用该制造工艺。
三星表示，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 将为 SoC 芯片提供更大的扩展面积和超低功耗优势。此外，FinFET 技术的使用将持续至 4nm 工艺。相比上一代 5nm，三星的 4nm LPE 和 LPP 可提供更小的尺寸、更高的性能和更快的速度。
不仅如此，三星还提及了其 3nm 工艺，预计于 2022 年量产。从 3nm 开始，三星将抛弃 FinFET 结构，转而采用下一代器件架构 GAA。为了克服 FinFET 结构在尺寸和性能方面的限制，三星正在开发基于 GAA 技术的 MBCFET（Multi Bridge Channel FET，多桥通道），预计 3nm GAAE 和 GAAP 的性能将更进一步提升。
与此同时，三星还强调了芯片关于人工智能（AI）和机器学习能力的发展。从最新的 7nm LPP 技术及其 EUV 方案超越了传统的封装方案，三星称其平台解决方案大大增加了芯片的计算能力，并加速了 AI 革命。
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