EN-3020B 分立器件参数测试仪

1. 概述

IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静态参数具有极其重要的实际意义。

半导体参数测试仪，是针对IGBT、MOS等器件的各种静态参数而专门设计的一套全自动测试系统。

该测试系统具有如下特点：

该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较大；

该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试；

该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL 文件进行处理。

该测试系统主要由以下部分组成：

u 栅极-发射极漏电流测试单元

u 栅极-发射极阈值电压测试单元

u 集电极-发射极电压测试单元

u 集电极-发射极饱和电压测试单元

u 二极管压降测试单元

u 二极管反向击穿电压测试单元

2. 技术条件

2.1 环境要求

A、环境温度湿度：室温～40℃，小于70%；

B、大气压力：86Kpa～ 106Kpa

C、电网电压：AC220V±10%无严重谐波

D、电网频率：50Hz±1Hz

2.2 主要技术指标

2.2.1 栅极-发射极电压V_GES及漏电流I_GES

电压V_GES：0-40V 误差±2% 分辨率0.1V

电流I_GES：0.1-10µA误差±2% 分辨率0.01µA

集电极电压：V_CE=0V

2.2.2 集电极-发射极电压V_CES及电流I_CES

集电极电压V_CES：100-2000V  误差±2% 分辨率1V

集电极电流I_CES：100µA-5mA  误差±2% 分辨率10µA

栅极电压V_GE=0V

2.2.3 栅极-发射极阀值电压V_GE(th)

V_GE(th)：1-10V误差±2% 分辨率0.1V

显示栅极-发射极阈值电压V_GE(th)

2.2.4 集电极发射极饱和电压V_CE(sat)

V_CE（sat）：0.2-5V误差±2% 分辨率10mV

集电极电流I_CE：10-100A误差±2% 分辨率1A

2.2.5 二极管压降测试V_F

V_F：0-5V误差±3% 分辨率10mV

栅极电压V_GE：0V

电流I_F：10-100A误差±2% 分辨率1A

2.2.6 二极管反向击穿电压BVR

电压设定：100V-2000V    误差±2% 分辨率1V

击穿电流设定：0.1-10mA    误差±2% 分辨率10uA

3. 功能概述

3.1 测试范围

该套测试设备主要可测试以下参数：

（1）栅极-发射极漏电流测试：V_GES、I_GES；

（2）栅极-发射极阈值电压测试：V_GE(th) ；

（3）集电极-发射极电压测试测试：V_CES、I_CES；

（4）集电极-发射极饱和电压测试测试：V_CE(sat)、I_CE；

（5）二极管压降测试测试：V_F、I_F；

（6）二极管反向击穿电压测试:BVR