SiC 功率器件测试方法有哪些？

电学性能测试是评估器件结构和工艺制造是否成功的关键，一般在工艺制造过程中会进行过程检查，在完成所有工艺后会进行最终的电学性能测试。

SiC 功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中：

（1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。

各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。

（2）动态测试：主要测试 SiC 器件的开关性能。

通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际应用中，影响开关特性的参数有很多，如续流二极管的反向恢复参数，栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在，所以针对于此类参数的测试，变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。因此准确的测量功率半导体器件的开关性能具有极其重要的意义。

（3）可靠性测试：考量 SiC 器件是否达到应用标准，是商业化应用的关键。

半导体功率器件厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。如HTRB-高温高压反偏测试，HTGB-高温栅偏测试，H3TRB-高温高湿反偏测试，HV-H3TRB 高压高温高湿反偏测试，PC-功率循环测试等。

（4）极限能力测试：如浪涌电流测试，雪崩能量测试

浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。

雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量。