新一代内存技术获突破！斯坦福大学成功提高相变内存能源效率

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几十年来，科学家们一直在为从大型数据中心到移动传感器和其他灵活电子设备的所有领域寻找更快、更节能的存储技术。最有前途的数据存储技术之一是相变存储器，它比传统硬盘驱动器快数千倍，但耗电量大。现在，斯坦福大学的工程师已经克服了限制相变存储器广泛采用的关键障碍。

相变存储器件通过温度变化，让GST化合物的状态发生改变，从而进行数据的编程和存储。但是在状态之间切换通常需要大量电力，这可能会缩短移动电子产品的电池寿命。为了应对这一挑战，斯坦福大学的团队着手设计一种低功耗的相变存储单元，可以嵌入到通常用于可弯曲智能手机、可穿戴身体传感器和其他电池供电的移动电子产品中的柔性塑料基板上。

利用纳米级存储材料城制成的超晶格和空隙单元，新器件在柔性基板上将编程电流密度降低了 10 倍，在刚性硅上降低了 100 倍。这一材料的变化显著提高了相变存储器件的能源效率。

相变内存可以实现内存计算，从而弥合计算和内存之间的差距。这项研究成果将为新一代超快计算铺平道路，是迈向灵活内存计算的重要第一步。

该研究题为''Ultralow–switching current density multilevel phase-change memory on a flexible substrate''，于9月10日发布于《科学》期刊。