Intel 3D NAND首次现身，Intel发布四款波数据中心级SSD

大概在去年五月份左右我们就告诉过大家Intel的3D NAND计划，当时预计会在去年Q4正式大量供货，不过到实际产品上市其实还需要等待一段时间，现在用Intel 3D NAND的产品终于出现了，Intel今天发布了两款数据中心SSD DC P3320和DC P3520上用的就是Intel 32层堆叠的3D NAND。

DC P3320有2.5寸U.2接口版本和PCI-E卡版本，有450GB、1.2TB和2TB三种容量，当中450GB只有U.2接口版本，接口采用PCI-E 3.0 x4通道，支持NVMe 1.2，使用的是Intel 256 Gb MLC 32层堆叠3D NAND，相信这种闪存会很快的应用到Intel的新的高端消费级产品上。

U.2与PCI-E卡版本的DC P3320，与SATA接口的DC S3510相比最多差5倍性能

DC P3320的性能如上表所示，2TB的版本最大连续读写速度为1600/1400 MB/s，最大4K随机读写IOPS分别为365,000/22,000。至于DC P3520的细节Intel暂时没有公开，只是表示与DC P3320相比有明显的性能提升和延时改进，使它更适合存储虚拟化与web托管环境。

图片来自anandtech

于此同时Intel还推出了DC D3700和DC D3600，这是Intel第一次推出双接口的SSD，适合那些7*24在线访问和保障故障修复的在线交易处理类应用。两者都是使用2.5寸盘型U.2接口，搭载Intel HET MLC闪存，DC D3700的容量又800GB和1.6TB两种，而DC D3600的容量则为1TB和2TB，具体的性能规格请看下表。

DC D3700性能规格

DC D3600性能规格