氟化锂（LiF） 晶体基片 可定制
我们还可提供其他晶体基片材料，二维CVD TMDC晶体：AgTaS3晶体、Ag3Sb晶体、Ag2Te晶体、Bi4Pb7Se13晶体、Cu2Se3晶体、AgInP2S6晶体、AgInP2Se6晶体、Cr2S3晶体、CrTe2晶体、CuBi3PbS6晶体、CuInP2Se6晶体、CuInS2晶体、GaGeTe晶体、GaPS4晶体、GeBi2Te4晶体、GeBi4Te7晶体、GeSb4Te7晶体、GeTe晶体、HfS3晶体、HgPSe3晶体、In2GaBi2S6晶体、In2P3S9晶体、In2Te5晶体、In3SbTe2晶体、InSb晶体、InSiTe3晶体、MnBiSe 晶体、MnSbTe 晶体、Nb3GeTe6晶体、NbTe4晶体、NiCoSe2晶体、NiTe2晶体、NiTe晶体、Pb2Bi2Se5晶体、Pb2Bi2Te5晶体、PbBi4Te7晶体、PbBi6Te10晶体、PbSb2Te4晶体、PbSe晶体、PbS晶体、Sb2Te2Se晶体、Sb2TeSe2晶体、Sb2Te晶体、Sb16Te3晶体、SiTe2晶体、SnBi2Te4晶体、SnBi4Te7晶体、SnPS3晶体、SnPSe3晶体、TaCo2Te2晶体、TaNi2Te2晶体、TaNi2Te3晶体、V2NiSe4晶体、Zr5Te4晶体
主要性能参数
透射范围 0.105 --- 6µm
折射率 1.37327 @2.5 µm; 1.624 @0.121 µm
反射损失 4.4% @4.0 µm
密度 2.63905 g/cm3
熔点 870°C; 848°C
热导率 11.3 W/(m·K) @41°C
比热 1562 J/(kg·K)
热膨胀 37 · 10-6 /°C @0°---100°C
硬度 (Mohs) 102-113 (Indenter load: 600g)
杨氏模量 64.79 GPa
剪切模量 55.14 GPa
体模量 62.03 GPa
断裂模量 10.8 MPa
弹性系数 C11 = 112; C12 = 45.6; C44 = 63.2 GPa
介电常数 9.0 @25°C, f = 100...109 Hz
水溶性 0.27g / 100g @18°C
材料类型 Single crystal, synthetic
晶体结构 Cubic, NaCl type structure, a0= 4.026 Å
解理面 (100)
尺寸 145 mm, 200 mm 应用 X-ray monochromator plates; Optical material for VUV applications
[规格]：注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸
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