常见高频参数不良解析
目前线缆的主要电气性能测试项目
| 序号 | 常用讯号传输名称 | 简称 | 全称对照表 |
| 1 | 回路損失 | RL | Return Loss |
| 2 | 衰 減 | IL(ATT) | Insertion loss(Attenuation) |
| 3 | 特性阻抗 | Z0 | Differential impedance |
| 4 | 传输延迟 | Delay | Propagation Delay |
| 5 | 延迟偏离 | Skew | Delay Skew |
| 6 | 近端串扰 | Next | Next Nearend crosstalk |
| 7 | 远端串扰 | Fext | Far end crosstalk |
| 8 | 近端串扰衰减比 | Acr | Attenuation-to-Crosstalk Ratio |
| 9 | 上升时间 | Rise time | Rise time |
| 10 | 单端转共模测试 | SCD21 | NA SCD21 Diff To Comm Convert |
| 11 | 近端的连接器阻抗 | TDR Connector IMPZ | TDR Connector IMPZ |
| 12 | 远端的连接器阻抗 | TDR FE Connector IMPZ | TDR FE Connector IMPZ |
| 13 | 对内延迟差异 | TDR IntraPairSkew | TDR IntraPairSkew |
| 14 | 远端串音 | TDT NEXT B | TDT NEXT B |
目前常规线缆的电气性能测试项目
| 序号 | 测试项目 | 测试项目对应中文名称 |
| 1 | USB3.0 Cable Impedance summary result | USB3.0线对特性阻抗 |
| 2 |
USB3.0 Mated Connectors Impedance(B-4-4 )summary result |
USB3.0线对的连接头Connecter阻抗 |
| 3 |
USB3.0 Mated Connectors Impedance(B-4-4 )summary result（Reverse) |
USB3.0线对的连接头Connecter阻抗（Reverse) |
| 4 | USB2.0 Cable Impedance summary result | USB2.0线对特性阻抗 |
| 5 | USB2.0 High Speed Delay summary result | USB2.0线对延迟 |
| 6 | USB2.0 High Speed Delay Skew summary result | USB2.0线对延迟差异 |
| 7 | USB3.0 NEXT-SS Pairs summary result | USB3.0线对之间的近端串音 |
| 8 | USB3.0 NEXT-USB2.0 and SS Pairs summary result | USB3.0与USB2.0线对之间的近端串音 |
| 9 | USB3.0 FEXT-USB2.0 and SS Pairs summary result | USB3.0与USB2.0线对之间的远端串音 |
| 10 | USB3.0 NA Insertion Loss summary result | 3.0线对插入损耗 |
| 11 | USB3.0 NA Differential to Common Conversion | 差分转共模 |
| 12 | USB2.0 NA Insertion Loss summary result | USB2.0线对插入损耗 |
S11 表示在port 1 的反射损耗(return loss)，值越接近0 越好(越低越好，一般-25~-40dB)，表示传输路径中反射(reflection)越小，也称为输入反射系数(Input Reflection Coefficient)，如S11为-25dB，则算出来的Vreflection约为输入信号的6.3%，如S11为-10dB，则Vreflection约为输入信号的30%.
S21 表示信号从port 1 传递到port 2 过程中的插入损耗(insertion loss)，值越接近1 越好(0dB)，表示传递过程损失(loss)越小，S21=-3dB意味着，约70%的输入信号传递到了输出端.
我们经常用到的单根传输线，或一个过孔，就可以等效成一个二端口网络，一端接输入信号，另一端接输出信号，如果以Port1作为信号的输入端口， Port2作为信号的输出端口，那么S11表示的就是回波损耗，即有多少能量被反射回源端（Port1），这个值越小越好，一般建议S11< 0.1，即－20dB；S21表示插入损耗，也就是有多少能量被传输到目的端（Port2）了，这个值越大越好，理想值是1，即0dB，S21越大传输的效率越高，一般建议S21>0.7，即－3dB。
S11和S21是最常使用的两个参数，除此之外，还有S22和S12，定义如下：
S22是从port2看过去的return loss，跟S11意思一样，只是换了端口，S12表示从Port2看过去的insertion loss，跟S21相等.
写到这，似乎已经差不多了，然而还有我们不常提及的S31，S41.
S31和S41表示的是，两条传输线发生串扰时的反射系数.
S31表示近端串扰（NEXT，near end cross talk），S41表示远端串扰（FEXT, far end cross talk）。
串音的产生原理
S31和S41之所以不常被提及，主要是因为通常单端信号之间，要求尽量减小串扰，在符合设计规范的板子上，S31和S41对于信号质量影响不大，而对于差分信号，则又有差分信号的S参数来描述，把1,3两个端口，看做是差分port1，把2,4两个端口，看做是差分port2.
串音的产生原理
SDD，表示差分模式的输入（Stimulus）和反馈（Response）之间的关系.
SCC，表示共模模式的输入和反馈之间的关系.
SCD，表示差分讯号和共模输出的反馈之间的关系.
SDC，表示共模讯号和差分输出之间的响应关系.
如上图所示，SDD11的意思是，差分激励在差分端口port1处的差分信号reflection loss。
SDC21的意思是，差分激励在差分端口port1处看到的共模信号的inserssion loss.
传统的网络分析仪最多只能有4个端口，所以测试得到的S参数也只能是4端口的，也就是最多一次只能测试一对差分对（不过现在有多端口网络分析仪PXI可以解决多端口网络的测试），对于高速电路仿真而言，如果需要考虑传输线之间的串扰，传统网络分析仪测试得到的S参数就不能直接使用，但是可以通过工具进一步的合成处理，这样就能考虑到串扰的影响啦，但是在实际测量中，如果手头的ENA网络分析仪只有两个物理端口，怎么测量差分对(4个物理端口)的S参数呢？
实际上可以通过测量这四个端口两两之间的S参数，然后计算得出，如：
目前线缆的主要电气性能不良项目
以下项目是目前量测经常遇到的不良项次
实际量测数据报告之 SCD21（共模输出）-SDD21（差模输出）
SCD21 NA SCD21 Diff To Comm Convert，单端转共模测试(差模转共模损耗）
SCD21为端口1至端口2的差模-共模转换
SDD21 为端口1至端口2的差模传输
差模共模转换，也就是说，在传输差模信号时，信号受到干扰，在接收端信号被误判为共模信号；差模信号转化为共模信号，就是指差模共模转换了（理论上是越少越好）主要是描述测试对线间两根讯号线的对称性（或者叫平衡性，电磁耦合好坏的差异），和线对的衰减（ Insertion Loss ），延迟差（ Intrapair Skew)有关.
虽然从量测最终结果的表现为PASS,但是实际对间差异过大，扫频测试会对其他对数的其他参数产生影响，是一环套一环的存在，当我们对着大山呼喊的时候，我们理解的回音就是一个存在的差模转共模的损耗案例.
典型不良表现
Return Loss SDD22
Return Loss SDD22；RL是回波损耗的简称，是数字电缆产品的一项重要指标，电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反射，是一对线自身的反射。不匹配主要发生在连接器的地方，但也可能发生于电缆中特性阻抗发生变化的地方，所以施工的质量是减少回波损耗的关键。回波损耗将引入信号的波动，返回的信号将被双工的千兆网误认为是收到的信号而产生混乱.
典型不良表现
影响SDD22回波损耗的制程因素﹕
导体均匀性﹑绝缘均匀性﹑发泡度均匀性﹑结构尺寸均匀性。
1) 导体直径不均匀﹑导体有弯﹑导体不圆﹔
2) 绝缘芯线偏心﹑椭圆﹑线径不均匀﹔
3) 发泡度不均匀﹔
4) 编织与外被的松紧也可引起回波的产生﹔工艺改善: 芯线制做均匀,导体圆整度,绝缘偏心度,收放线张力稳定.
Insertion Losss
Insertion Losss；高频电子讯号在传动时由于基本材料电阻，产生讯号强度(电压)降低以外，尚有因高频引发的Impedance，导致电子讯号强度再被降低,基本电阻的衰减取决于导体材质可称直流衰减,电容电感的衰减取决于频率高低可称交流衰减，且频率越高此衰减越严重.
典型不良表现
趋肤效应和介电损耗是造成电缆高频损耗的主要原因
趋肤效应损耗(单位为dB)与电缆长度及频率的平方根成正比；
介电损耗(单位为dB)与电缆长度及频率成正比。
趋肤效应损耗主要来自于中、低频，
介电损耗主要来自于高频。
高频电流流过导体时，电流会趋向于导体表面分布，越接近导体表面电流密度越大。这种现象就是趋肤效应。频率越高，电流就越集中在导体表面，可以想象，当频率足够高时，电流几乎只分布在导体表面上薄薄的一层，导体内部几乎没有电流
影响Insertion Losss的制程因素﹕
电线主要分为两种，一种为同轴系列，一种为对绞系列
对屏蔽厚度﹕ 铝箔厚度增加—衰减减小﹔ 铝箔厚,绕包时不容易绕紧﹐可导致高频衰减跳动。
成缆节距: 成缆节距增大—衰减减小﹔
总屏蔽: 屏蔽厚度及密度增加—衰减减小﹔
对内延时差大—衰减偏大。
设计改善:衰减偏大,加大导体线径,加大绝缘线径,加大发泡度,更改绝缘材料.(降低介质损耗角正切)
工艺改善:芯线押出时尽量圆整,发泡度均匀,水中电容调小
材料衰减：有电压的情况下,分子会产生摆动,摆动会产生热 量,即而把部分能量转化为热能.
导体衰减：导体会发热,消耗的为热能
反射衰减：遇到材料不均匀点