此前，我们三易生活曾为大家揭示过半导体行业在“制程数字”上几乎集体造假的行为，包括三星、台积电，以及格罗方德（Global Foundries，也就是原AMD半导体部门）在内的几家大厂，普遍都存在这一方面的问题。例如三星曾率先将改进版的20nm制程“取名”为14nm，开了个糟糕的先例；又比如说，格罗方德当初也曾在晶体管密度没有任何增长的情况下，将略有改进的14nm工艺“重命名”为12nm，这显然同样也算是一种“制程造假”。但当时我们也曾指出，在其他同行纷纷玩“数字游戏”时，只有Intel在坚守半导体制程数字的“良心”。而其这种不吹牛的制程数字标识方式，客观上也一度让他们受到了不少不明真相吃瓜群众的误解。正因如此，当Intel近日高调宣布启用全新制程节点命名方式的时候，这一举动也随即被许多业内人士解释为了“劣币驱逐良币”，看作是Intel对现有半导体工艺命名不良风气的“认怂”。
不可否认的是，在公开资料中显示，Intel此次的“新制程命名方式”的确是对他们此前数代制程工艺的“重命名”。比如说即将在今年秋季登场的10nm Enhanced Super Fin制程，在新的命名体系里被改名为“Intel 7”。此后，2022年预定接班的7nm EUV制程，则被改名为了“Intel 4”。到2023年，则将迎来被改名为“Intel 3”的5nm EUV制程。而到了2024年，Intel方面更是会迅速上马被改名为“Intel 20A（A代表埃米，10埃米为1纳米）”的3nm GAA制程。
如果单以数字来看，Intel此次的全新工艺命名方式的确看起来比（原本）实际的工艺节点要小。所以要说新的命名方式有没有市场宣传的考量、有没有受到其他竞争对手的不良影响，显然是有的。但如果我们更仔细地去分析Intel这场发布会中的细节就会发现，相比于其他竞争对手，Intel依然还是太“老实”了。首先，Intel虽然也是对制程进行了“重命名”，但他们并没有直接采用“7nm”、“4nm”这样，将制程代号与真实制程宽度混为一谈的命名方式。相反，其不仅在新的工艺体系中隐去了代表线宽的“nm”单位，还刻意加上了自家商标以避免混淆。甚至他们还特意说明了“Intel 7”、“Intel 4”分别所对应的真实工艺线宽是多少，而这则是竞争对手并没有去做的事情。其次，过去很多人看到Intel长期“坚持”以14nm命名自家的制程，都以为他们真的是一直没有更新制程工艺。其实这是一个非常大的误解，因为过去Intel的制程命名方式一直严格遵循着摩尔定律的约束。也就是说，只有当新工艺所能实现的晶体管密度，恰好能达到上一个工艺节点数字两倍甚至更高水平的时候，才会“更新”一次数字。举例而言，Intel去年在10代酷睿移动版处理器上使用的第二代10nm制程，晶体管密度就达到了100.8MTr/mm²（百万晶体管每平方毫米），是Intel初代14nm制程的2.7倍之多。而相比之下，台积电的第二代7nm制程晶体管密度也才刚刚超过110MTr/mm²，三星的初代5nm制程晶体管密度更是只有112.79MTr/mm²。换而言之，Intel去年使用的10nm二代工艺，就已经与竞争对手自称“7nm”甚至“5nm”的水准相当。从这一点来说，Intel将他们未来的第三代10nm工艺仅仅“重命名”为Intel 7，甚至已经可以说是很克制了。
不仅如此，纵观此次Intel公布的多款“新工艺”不难发现，与其说这是在无奈之下选择了顺应行业惯例，不如说他们反而是借机讽刺了一把行业乱象，并高调宣告了反击时刻的到来。比如说大家可能不知道的是，当初台积电的7nm EUV制程实际上只有一部分加工流程有用到极紫外（EUV）光刻机，并非完全的EUV工艺。而“Intel 7”不仅将会是Intel第一次使用EUV工艺，而且其打算从一开始就直接使用全EUV工艺，这就意味着在一些细节的工艺技术上，甚至已经达到了台积电和三星5nm的水准。又比如说大家可能已经注意到，“Intel 7”的接班人被称作“Intel 4”，而非业界通常认为的“5nm”。这并非Intel有意在吹牛，而是因为“Intel 4”的晶体管密度能够达到200MTr/mm²甚至250MTr/mm²，远超出竞争对手5nm节点171.3MTr/mm²的晶体管密度。换而言之，“Intel 4（本质上是Intel的7nm EUV制程）”的性能和技术水平，确实在其他厂商自称的“5nm”之上。不仅如此，关注手机行业的朋友可能知道，今年台积电与三星的5nm制程多少都出现了过热、性能降低的问题，并导致最终的产品体验甚至没有比6nm甚至7nm好多少。但是根据Intel方面的说法，他们不会犯这种错误，“Intel 7”的每瓦能效相比现有的第二代10nm制程，就确实能够提供10%-15%的提升；“Intel 4”的能效比起“Intel 7”，不仅性能可以再上涨20%，同时还会缩小处理器的面积、有效降低成本；而再往后的“Intel 3”，则又会再度带来18%左右的性能增加，同时不会造成功耗的上涨。更不用说，Intel还公布了他们原创设计的全新晶体管技术RibbonFET和新的晶体管布线方式PowerVia。其中，前者本质上与台积电及三星正在研发的3nm GAA晶体管大同小异，但后者就属于Intel带来的原创设计了。其将能够大幅提升晶体管的布局密度，因此Intel才敢将他们2024年的制程命名为“20A”，也就是比（其他家的）“3nm”更加先进的意思。今年年底的Alder Lake就会是“Intel 7”制程首秀不难看出，在此次宣布“制程改名”前，Intel实际上是玩了一手韬光养晦。先提前研发好足以用到2025年的一连串先进制程工艺，再通过吸引眼球的“改名”，变相一下子扔出一堆大招。虽然这固然有那么一点点“狡猾”，但不可否认的是，从半导体制程的硬实力上来看，Intel这一轮秀出的技术底蕴及长期的研发能力，还是叫人不得不服的。
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