♥场效应管

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，

绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

见下图:箭头向里，N沟道。

箭头向外，P沟道。

★耗尽型与增强型的图标区别。

耗尽型在Vgs=0时，就有耗尽电子层。      增强型需在Vgs>Vt(开启电压)时，建立耗尽电子层沟道。