论坛最新原创PPT分享:《一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学》

来源:EETOP论坛  作者:胡诣哲(论坛版主JoyShockley)
1. 在Razavi的教科书, 斯坦福的 EE214 (2007 by B. Murmann), UCB's EE240 (2006 by Niknejad) 的基础上进行改进。
2. 基于2Id/gm的设计流程,能和传统流程进行良好的嫁接,优于gm/Id的流程。
3. 在本征增益查找表的处理上,提出基于L 和 Vds/(2Id/gm) 的参数设置,优于EE214(其忽略了Vds对增益的影响)。
4. 提供2Id/gm的最优值取200mV的物理解释。
5. 提出放大器增益表达式如何换算为管子的本征增益的关系
6. a. 本征增益查找表选L和Vds/(2Id/gm) ; b. 2Id/gm查找表选W。
PPT部分截图如下:

网友长河落日圆论坛回帖部分内容摘录:

可能大家对gm/ID都比较熟了,都没什么人来讨论。

跟朋友讨论了下,总结如下:
不管是2ID/gm,还是gm/ID,最大优点一是准确性,二是把公式或者说参数关系以图表形式更直观表现出来,初学者可能没有意识到这种关系,但看图就很直观,可以知道调参数往哪个方向调。
准确性其实本也应该是我们追求的东西,但工艺限制了准确性,所以只能退而求其次,在没有达到设计预期时,知道是哪里出了问题,要调什么参数。
高手不谈gm/ID,因为这已经是融会贯通的经验,gm/ID把高手的部分经验直观地展示给新人看,让新人能“查经验“来达到一定的准确性。
另外,gm/ID的其他参数取值都有一定限制,就是L的取值不太清楚,很少看到对fT有要求。

版主上次在有人问gm/ID的物理意义时提到习惯用2ID/gm,我当时在看gm/ID,试了下2ID/gm,确实感觉跟传统设计流程衔接更好。就是之前在增益这块有点搞不明白,现在看了下版主写的大概清楚了。
感觉仿真结果能够跟手算(现在也是仿真了)较为接近,对初学者确实是个正反馈,但有时候可能又会过于纠结准确性。记得之前很多人说过,准确性不是最重要的,因为后面还有工艺偏差温度变化之类,这一点在密勒补偿调零电阻上就能体现出来,因为初学者最先接触这方面的多是这个,所以重要的是裕度
所以在设计时要如何考虑裕度呢。


如有需要完整版可以登录论坛下载

(第一次注册需要在电脑端进行)

http://bbs.eetop.cn/thread-884323-1-1.html

推荐海量芯片知识宝库--EETOP论坛:  http://bbs.eetop.cn

(0)

相关推荐