国产19nm DRAM内存下半年试产，未来可占全球产能8%

长江存储主导的国产3D NAND闪存已经开始安装光刻机等生产设备，预计今年下半年就要开始量产。相比之下，DRAM内存芯片因为难度更高，国内投入研发内存芯片的主要是合肥长鑫、兆易创新以及福建晋江/联电。最新消息显示兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺，预计下半年试产，项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。

与长江存储的国资背景不同，合肥长鑫主要是合肥市政府、投资基金主推的项目，而且专注DRAM内存领域。与紫光的高调相比，合肥长鑫的DRAM项目一直很低调，低调到连官方都没有，但从媒体报道中又时常看到长鑫DRAM的进展，比如去年该公司进口了47.9亿元的设备，外贸额位列安徽省第二位。

去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%，而这个项目就是跟合肥长鑫合作的，原来传闻的前日本尔必达社长坂本幸雄投资的香港兆基公司已经出局。

来自安徽商报的消息，位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产。据了解，长鑫今年有望造出第一颗“合肥造”的19纳米级12寸DRAM工艺的存储器，说的应该就是与兆易创新合作的那个19nm工艺内存芯片了。

目前三星、美光、SK Hynix早已经完成了20nm工艺DRAM芯片的研发，三星主力制程更是达到了新一代的18nm，不过长鑫的19nm内存芯片还不算落后，毕竟三大DRAM之后也只有台系的华亚科完成了20nm级内存工艺研发，而华亚科现在已经被美光全资收购。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

目前SK Hynix在无锡的DRAM晶圆厂月产能也就是10-12万片晶圆，这么看的话合肥长鑫这个DRAM产能真不低了，8%的全球产能足够影响很大市场份额了，别忘了当年无锡DRAM工厂大火导致全球DRAM市场大涨价呢。

目前唯一的问题就是国产19nm DRAM芯片的良率还是很低的，研发目标是不低于10%，这个水平是不可能量产的，要解决良率问题可能还要几年时间。