再次确认！苹果A15性能遭曝光：全球5nm芯片真的翻车了

【2月13日讯】相信大家都知道，自从各大手机芯片厂商纷纷发布了5nm工艺5G旗舰芯片以后，苹果A14、高通骁龙888、华为麒麟9000、三星猎户座2100等5nm工艺旗舰芯片产品，都出现了不同程度的功耗、发热等翻车问题，这也让很多网友们纷纷吐槽，在功耗大幅度增加的情况下，整体的性能增长却非常有限，所以很多网友们也直接质疑：“全球5nm芯片集体翻车了；”

而针对“全球5nm工艺芯片翻车”一事，也有很多专业人士表示，并不是5nm工艺出现问题，而是在老旧的FinFET晶体管上出现了问题，这种老旧的FinFET晶体管在7nm工艺时代就应该被淘汰掉了，但直到5nm工艺时代，台积电、三星依旧都还在使用老旧的FinFET晶体管技术，为何会在5nm工艺上出现功耗、发热集体翻车的现状呢？

这也是因为FinFET晶体管在进入5nm工艺后，由于沟道长度、阈值电压等都发生了明显的变化，直接导致晶体管漏电比较严重，并且漏电这一部分的功耗直接占到了整个芯片功耗的50%以上，而晶体管漏电的现象也被称之为“静态功耗”，所以5nm芯片就会出现功耗持续增大，而导致出现性能提升并不明显的状况。

而就在近日，又有外媒正式曝光了苹果A15芯片的跑分数据，似乎也再次证明了5nm芯片出现了翻车现象，相对于苹果A14芯片，整体性能提升较小，但功耗依旧比较大，其中苹果A15芯片 GPU功率最高可达8.5W，远超苹果A14的7W峰值，从功耗值数据对比来看，似乎也再次验证了全球5nm工艺芯片翻车的事实；

而根据台积电、三星方面的表态，台积电在进入到3nm工艺时代依旧会采用老旧的FinFET晶体管技术，而三星则会采用全新GAAFET晶体管技术，直接弃用老旧的FinFET晶体管技术，这也意味着三星是否能够全面超越台积电，在3nm工艺技术节点也是尤为重要。

最后：对于全球5nm芯片翻车一事，各位小伙伴们，你们对此都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！

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