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隧道磁电阻(TMR)效应是什么？如何用物理解释？
在磁隧道结（MTJ s）中，TMR效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。MTJs的一般结构为铁磁层 /非磁绝缘层 / 铁磁层( FM / I/FM)的三明治结构。饱和磁化时，两铁磁层的磁化方向平行，而通常两铁磁层的矫顽力不同，因此反向磁化时，矫顽力小的铁磁层磁化矢量首先翻转，使得两铁磁层的磁化方向变成反平行。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。
华芯磁阻：一文带你读懂什么是TMR磁阻传感器
磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR）元件或巨磁电阻（Giant Magnetoresistance, GMR）元件为敏感元件的磁传感器。即HALL、AMR、TMR、GMR等产品。
华芯磁阻：AMR磁阻传感器在汽车中的仿真和建模
现代汽车都会越来越智能，智能化程度越高，就意味着传感器应用越多。通常，现在一台车上面的传感器，至少也要一百颗以上，其中AMR磁阻传感器的应用也十分常见。开发传感器系统，首先要对预期的磁输入信号有一个大概的了解。首先要知道编码器轮和传感器头上永磁体的标准规格，以及预期的尺寸和公差。磁场可以用有限元法模拟确定。存在编码器轮、传感器元件和磁铁的建模问题。
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