RM6601SN规格书集成高压启动X-Cap放电功能GaN 驱动控制器

RM6601SN规格书集成高压启动X-Cap放电功能GaN 驱动控制器

功能特性  产品概述

⚫ 支持 CCM/QR 混合模式；

⚫ 内置 700V 高压启动；

⚫ 集成 X-CAP 放电功能；

⚫ 支持最大 130KHz 工作频率；

⚫ 内置特有抖频技术改善 EMI；

⚫ Burst Mode 去噪音；

⚫ 低启动电流（2uA），低工作电流；

⚫ 集成斜坡补偿及高低压功率补偿；

⚫ 集成 AC 输入 Brown out/in 功能；

⚫ 外置 OVP 保护；

⚫ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护；

⚫ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。

RM6601SN 是一款高性能高可靠性电流控制型

PWM 开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于

75mW，满足六级能效标准，并且支持 CCM/QR 混合

模式。

RM6601SN 集成多种工作模式，在重载情况下，

系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下，在

低压输入时会进入 CCM 模式；在重载情况下，系统

工作在 QR 模式，以降低开关损耗，同时结合 PFM

工作模式提高系统效率；RM6601SN 采用专有驱动

技术，直驱 E-mode GaN FET;在轻载或空载情况

下，系统工作在 Burst Mode 模式，有效去除音频

噪音，同时在该模式下，RM6601SN 本身损耗极低，

因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集

成了特有抖频工作模式，以改善 EMI。

RM6601SN 同时集成了多种保护模式和补偿电

路，包括 VCC OVP，内置 OTP，外置 OVP，欠压锁

定（uvlo),逐周期过流保护 OCP，过载保护（OLP），

CS 短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜

坡补偿功能。

应用领域

⚫  快速充电器

⚫  大功率适配器

⚫  TV 电源