功率半导体器件基础知识及论文合集
包含三菱电机培训课程、论文合集，主要介绍元器件基础知识及电源领域的原理及应用。
三菱电机培训课程：
第1讲：功率半导体器件的基本功能和用途
第2讲：功率半导体器件的基本分类和应用
第3讲：半导体-导体-绝缘体
第4讲：半导体材料的禁带宽度
第5讲：半导体中的晶体结构
第6讲：半导体中的电子与空穴
第7讲：从本征半导体到杂质半导体
第8讲：半导体中的载流子运动
第9讲：PN结的基本结构及形成方法
第10讲：平衡条件下的PN结
第11讲：偏置条件下的PN结
第12讲：PN结的击穿与穿通
第13讲：PN结的电容效应
第14讲：PN结器件的电路特性
第15讲：PIN二极管基本结构和正偏置行为
第16讲：PIN二极管的恢复特性.
第17讲：双极晶体管的基本结构
第18讲：双极晶体管的工作原理
第19讲：晶闸管的基本结构
第20讲：晶闸管的基本工作原理
第21讲：GTO的基本结构和基本工作原理
第22讲：谈谈肖特基势垒（Schottky Barrier）
第23讲：肖特基二极管的基本结构与工作原理
第24讲：结型场效应晶体管
第25讲：结型场效应晶体管的基本工作原理
第26讲：MOS结构
第27讲：MOSFET的基本结构与工作原理
第28讲：功率MOSFET
第29讲：IGBT的基本结构
第30讲：IGBT的基本开关原理
第31讲：HVIGBT的概述
三菱电机【论文】：
针对广泛应用领域的 SiC 功率模块
针对大功率应用的高性能第2代 1700V4H-SiCMOSFET
优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能 4H-SiC MOSFETs
一种可提供系统最佳整体性能的先进硅基 IGBT 芯片
新一代大功率 IGBT 模块
通过门极驱动器电压敏感参数实现功率模块通态电压的估计
提高中压变频器鲁棒性和可靠性的 X 系列 RFC 二极管
利用零温度系数导通电压对导线键合 IGBT 功率模块在线状况监测
集成 SiC SBD 的 6.5kV 全 SiC MOSFET 功率模块
集成 RC-IGBT、自举二极管及限流电阻的全新压注模表面贴装型IPM
高压 IGBT 模块在湿度影响下的寿命预估模型研究
高压 IGBT 模块抗潮湿和凝露的鲁棒性设计
SLIMDIP 系列智能功率模块在变频洗衣机应用介绍
SiCMOSFETSPICE 模型的对比研究
LV100 封装 HVIGBT 在并联应用中的表现
超小只的 GaN 功率放大器在 5G 基站
新型器件嵌入式集成技术
三菱电机 SiCMOSFET 仿真技术
...