破解“摩尔定律”[赞]湖南大学刘渊教授团...

破解“摩尔定律”[赞]湖南大学刘渊教授团队“垂直晶体管技术”将绕过光刻机工艺;图1是刘渊教授于2021年5月6日在电脑屏幕上展示的超短沟道垂直场效应晶体管照片,已经将垂直场效应晶体管有效沟道长度缩小至小于1nm级。

刘渊教授的论文已公开发表在国际权威杂志《Natural Electronics》,虽然该技术目前还未进入工业应用,但已被公认为是目前破解半导体受制于“摩尔定律”的一把钥匙,预期工业应用前景十分光明。

因此将该技术进一步深入完善,完全有望绕过紫外线光刻工艺,也就是不必依赖荷兰ASML那样复杂的光刻专用设备;这就是从原理、方法上突破实现所谓的“弯路超车”,而非一味地没有创新的摸仿式的被动追赶。

原理创新与方法创新才是科技发展的动力！