三星正在开发160层堆叠3D闪存，采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功，并且准备在年底投产，但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存，堆叠层数多达160层。

图片来源：三星官网

根据etnews的报道，三星已经在第七代V-NAND闪存的开发中取得了重大进展，并且已经加快了开发进程，三星此前一直在用单堆栈技术来生产3D闪存，而第七代V-NAND将会改用双堆栈技术，以便制作更高层数的3D闪存，其实东芝与西数的BiCS 5闪存就是使用两层56层的堆栈合在一起组成一个112层堆栈的芯片的。

目前闪存增加容量的方式已经不像CPU和GPU那样依靠更精细的工艺来增大晶体管密度了，而是通过3D堆叠工艺来增加堆栈层数，堆栈数越多存储密度就越大，进入到2020年，各个闪存厂家都准备推100层以上的3D闪存，三星现在的第六代V-NAND就是100+层，具体堆叠层数没明说，东芝、西数的BiCS 5是112层的，而SK海力士最新的是128层，Intel和美光最新的也是128层，不过Intel已经在准备144层的3D闪存。

当然了不能光看层数来看3D闪存的存储密度，因为闪存内部除了存储层之外还有逻辑层，当中的占比厂家们肯定不会说。