华为即将自产芯片！芯片工厂首推超宽带产品自研光芯片

华为创始人任正非表示【华为能做800G光芯片，全世界都做不到，美国还很遥远。】

华为武汉芯片工厂封顶，接下来只待准备就绪将迈向集芯片设计和芯片制造的自研自造的道路！

2020年2月，华为在英国伦敦正式发布了“业界首款800G可调超高速光模块”。

为万物联网而造，为随着明年即将到来的5G元年：4K到8K的高清视频，无线娱乐互动、VR视频、全景直播和云游戏等5G高流量持续数据传输的支持。

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“光芯片”——激光器芯片，作为光器件的核心元件主要用于光电信号转换，是华为早已部署的通信项目——历经6年研发，通过融合相关领域技术突破难关：

自研光通信芯片及模组，实现芯片从设计、制造、封装、测试的完整生产流程，光芯片、调制器、硅光、DSP等许多领域有自产能力，在掌握了相关核心技术同时，突破性的创造全球领先的超宽传输800G可调超高速光模块。

据悉【800G模块支持200G-800G速率灵活调节，更灵活适配多种应用场景，单纤容量达到48T，对比业界方案高出40%，快到下载100部4k高清电影仅需要1秒钟。】

大型数据传输、数据中心传输使用上对比竞争对手目前的400G模组，华为800G无疑已经达到超前状态，国产速度也终于能摆脱对国外光芯片的依赖。

据了解，华为工厂将首先生产光芯片，前期使用45nm工艺，再向28nm靠拢并争取进入20纳米工艺制程，要真正实现芯片从设计到制造的自主掌控，才能再次避免被动的局面。

为何不是麒麟优先？

华为海思已经拥有先进的EDA设计平台，丰富的技术和人才累积，掌握众多的自主知识产权的芯片，海思在半导体行业的自主研发已深深扎根…芯片设计能力毋庸置疑已是挤入世界的级别，但论芯片的制造需要更高的工艺支持，此次不受牵制的28nm工艺制程，对于麒麟9000的高标要求还远远不够，5nm还有很长的距离需要跨过…现实还是现实，技术这活还得一步步来。

据悉，国产完全自研光刻技术目前只达180nm，对比台积电的多方技术集合研发的5nm乃至即将试产的3nm简直就是不同世纪的对比 ，所以就如

任老所表示更希望合作共赢。

对于科技研发需要多地域人才，国外的研发中心的投资，多地域技术培养创造。就让ASML的光刻机正是全球技术的集合点。

一方水土养一方人才造一方技术， 掌握核心科技应该理解为技术合作的等价交换，因为有资本合作了才能有话语权。