高通发布骁龙 835：首发三星 10nm，充电 5 分钟续航 5 小时
日前，高通推出了下一代旗舰移动处理器骁龙 835，和之前传闻一样，命名跳过了骁龙 830，原因可能是考虑到了营销方面的需要。
骁龙 835 最大的一个特点是采用了三星 10nm FinFET 制造工艺，去年发布的骁龙 820 则是采用三星 14nm FinFET 工艺。三星是业内最早推出 14nm 制程芯片的半导体公司，大幅领先台积电等竞争对手，而这次向 10nm 跨进也实属必然。
三星 10nm 制程芯片于今年 10 月份开始量产，相对 14nm 工艺，其将在缩小 30% 的芯片尺寸的基础上，实现性能 27% 的提升以及 40% 的功耗降低。换句话说，全新的 10nm 工艺将能够在提升手机性能的同时，进一步提升续航能力。
另外，骁龙 835 还带来了 Quick Charge 4.0 快速充电标准，相比上一代 QC 3.0 标准，其充电速度提升了 20%，充电效率提升了 30%，充电 5 分钟能够提供手机使用 5 小时。
高通方面称，骁龙 835 已经开始生产，但搭载该处理器的产品上市还要等到明年上半年。不出意外的话，三星 S8、LG G6、小米 6 等一批早期旗舰将用上首批产品，只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。
值得一提的是，高通并没有释出该处理器的详细规格。但根据之前曝光的信息，其或将采用自研 Kryo 200 架构的八核心设计，GPU 将升级为 Adreno 540，内置 X16 基带，加入 LPDDR4X 内存，并且最高支持 8GB 运行内存。
在此之前，联发科和华为已经推出了他们的新旗舰产品。其中，联发科 Helio X30 采用台积电 10nm 工艺，性能相对 X20/25 有大幅提升。华为麒麟 960 则依旧采用 16nm 制程。另外，三星下一代 Exynos 9 也会用上自家 10nm FinFET 工艺，值得期待。