DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR2与DDR的区别
（1）DDR的定义：
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下 降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个 DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并 行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容 的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的 2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟 的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存 每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了 更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工 作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板标明同时支持。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话 说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也 就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就 是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会 影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通 过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的， 终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。 因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信 号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会 产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
为 何包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？由于DDR2的数据传输频率发展到 800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也是由于速度 提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
1．更高的外部数据传输率
2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
3．在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
DDR3
DDR3与DDR2的不同之处 DDR3可以看作DDR2的改进版。
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由 于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一 突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2 有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而 DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率 而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。 DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3 内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关 闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的 目的。
5、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引 脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟 周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
为 了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计 （ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之 升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持 这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到 95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。
8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。
9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这 是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道 只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点 （P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方 面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其 中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。
除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了
面 向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面 DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机 领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
DDR2内存技术简单回顾
在分析DDR3内存之前，我们先来重温一下从DDR到DDR2的变换以及技术革新。
业界正式内存规格是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定的，这包括了DDR、DDR2以及准备推出的DDR3，在官方规格中DDR最高速度为DDR400，但由于制程进步，DDR的速度已经 完全超越了官方原定标准，故此后期出现了超高速DDR566并非官方规格。
继DDR400之后，JEDEC已认定DDR2为现时主流内存标 准，虽然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2是完全不兼容的，首先DDR2的为240Pin接口比DDR的184Pin长，另外电压也比DDR的 2.5v低许多，在1.8v的同频率下DDR2可比DDR低一半功耗，高频低功耗是DDR2内存的优点，而缺点则是DDR的延迟值比较高，在同频率下效能 较低。
不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录数据的， 上代SDRAM内存的核心频率就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的数据，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存频率已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技 术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取数据，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升 至在充电及放电时都能存取数据，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一频率下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至 200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒频率每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。
而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同样能在每一次充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往内存颗粒的频率相等于I/O Buffer的频率，但DDR2的I/O Buffer会被提升至内存核心频率的一倍，而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的数据给I/O Buffer，比DDR每笔传送2Bit多一倍，故此在同一内存核心频率下，DDR 2的内存会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的频率，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR2的频率是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR2 533的频率还是266Mhz。
DDR3模组大致标准规格
虽然JEDEC（内存工业标准组织）尚 未完全确立DDR3的标准，但是大体而言已经基本成型，8 bit 预取设计，较 DDR2 4bit 的预取设计提升一倍，其运算频率介于 800MHz -1600MHz之间 。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，较 DDR2 的 1.8V 更为省电。此外， DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在数据不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。
计划DDR3将于今年底或明年初正式导入市场，不过从其具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了 解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再向上提升较为 困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也 要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3必须满足一系列要求：
·更高的外部数据传输率
·更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
·在保证性能的同时将能耗进一步降低
·为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
·8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
·采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担
·采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
DDR1 DDR2 DDR3
电压 VDD/VDDQ 2.5V/2.5V 1.8V/1.8V
(+/-0.1) 1.5V/1.5V
(+/-0.075)
I/O接口 SSTL_25 SSTL_18 SSTL_15
数据传输率(Mbps) 200～400 400～800 800～1600
容量标准 64M～1G 256M～4G 512M～8G
Memory Latency(ns) 15～20 10～20 10～15
CL值 1.5/2/2.5/3 3/4/5/6 5/6/7/8
预取设计(Bit) 2 4 8
逻辑Bank数量 2/4 4/8 8/16
突发长度 2/4/8 4/8 8
封装 TSOP FBGA FBGA
引脚标准 184Pin DIMM 240Pin DIMM 240Pin DIMM
从整体规格上看，DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大，提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是，就像DDR2和DDR的对比一样，在相同的时钟频率下，DDR2与DDR3的数据带宽是一样的，只不过DDR3的速度提升潜力更大。
DDR3 和 DDR2 的 核 心 特 性 比 较
DDR3 DRAM DDR2 DRAM
芯片封装 FBGA FBGA
Pin脚数目 78ball x4、x8
96ball x16 60ball x4、x8
78ball x16
工作电压 1.5V 1.8V
组织 512Mb - 8Gb 256Mb - 4Gb
内部bank数量 8 (512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb) 4 (256Mb、512Mb)
8 (1Gb、2Gb、4Gb)
预读取 8bit 4bit
突发长度 BL4、BL8 BL4、BL8
突发类型 Fixed、MRS或OTF Fixed、LMR
附加延迟(AL) 0、CL-1、CL-2 0、1、2、3、4
读取延迟(RL) AL+CL
(CL=5、6、7、8、9、10) AL+CL
(CL=3、4、5、6)
写入延迟(CWD) AL+CWL
(CWL=5、6、7、8) RL-1
频率范围 200MHz- 800MHz 133MHz - 400MHz
模组频率范围(DDR) DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333、DDR3-1600 DDR3-533、DDR3-667、DDR3-800
模组类型 DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM2 DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM
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二者有相似之处也有相异特点：
DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过 DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍 比较明显：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一 步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。因此，我们在选择显卡和判断显卡性能上就有所见地了。
DDR3内存与GDDR3显存的区别
很多人谈论到DDR3内存时，总会把GDDR3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。
一、GDDR2显存的换代产品GDDR3
GDDR3 是GDDR2显存的换代产品，主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然GDDR3和GDDR2相比还有其他一些不同的地方，GDDR3采用的是单端设 计，并没有分开数据输入和写出通道。此外，GDDR3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术（pseudo-open drain）。和GDDR2一样，GDDR3采用了1.8V电压标准。
GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率，而耗能却很低。同时，配备GDDR 3需要的配件更少，约束条件也更低。综合这些优点，NVIDIA的合作商们在启用GDDR3后，将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。
二、DDR2内存的换代产品DDR3
DDR3 相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高 能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从 1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3 内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当 DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品， 初步估计届时将会出现DDR3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线 的负担。此外，DDR3内存将采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
在 性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单内存带宽大幅 提升，功耗表现也好了很多。
DDR3内存与GDDR3显存的区别
很多人谈论到DDR3内存时，总会把GDDR3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。
一、GDDR2显存的换代产品GDDR3
GDDR3 是GDDR2显存的换代产品，主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然GDDR3和GDDR2相比还有其他一些不同的地方，GDDR3采用的是单端设 计，并没有分开数据输入和写出通道。此外，GDDR3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术（pseudo-open drain）。和GDDR2一样，GDDR3采用了1.8V电压标准。
GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率，而耗能却很低。同时，配备GDDR 3需要的配件更少，约束条件也更低。综合这些优点，NVIDIA的合作商们在启用GDDR3后，将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。
二、DDR2内存的换代产品DDR3
DDR3 相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高 能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从 1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3 内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当 DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品， 初步估计届时将会出现DDR3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线 的负担。此外，DDR3内存将采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
在 性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单内存带宽大幅 提升，功耗表现也好了很多。
fsb与cpu有关 cpu就决定了fsb频率的大小 与主板无关（主板支持这个fsb频率的cpu才能插）
双通道 频率不变只是数据通信量增大一倍！比如ddr2 400 两 组成双通道 只要配合fsb400频率就
可以充分发挥机器效能
DDR400,333,266 它们除了频率上的区别外，还有延迟时间上的区别，DDR400的频率是最快的，达到了200MHZ（为什么是200MHZ，因为DDR内存是双倍速率随机 动态同步存储器的意思，所以DDR400是200乖以2得来的，那么换算过了，DDR400的实际频率就是200MHZ，333的实际频率是166 的，266的是133的，DDR2533的是266，DDR2667是333的，DDR2800的是400MHZ的。）但是DDR400也是DDR内存中 延迟最后的，一般的，速度快的内存，相对速度慢的内存延迟要高些。(一般情况频率高，延迟就大）从外观上看它们大致相同，但是也有一定的区别，这主要是从 与它们容量和速度相关的内存颗粒上看出的，256MB的内存不管是DDR几的，都是单面的，而512与512兆以上的，多半是两面都有颗粒的。还 有，DDR400的内存所使用的颗粒的速度是5NS的，而333的是6NS的，266的是7NS（一般是这样的）。其次还有电压和针脚定义的不同，还有封 装形式，大多是采用TSOP（薄型小尺寸封装）还有MBGA（微型栅格球形阵列封装）的。
DDR2与DDR的区别
与DDR相 比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实 现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存 取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然 而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容 的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的 2.5V不同。
内存频率与总线频率匹配问题： 最好匹配 发挥系统的性能
不是很明显
内存量增大 速度就明显增大
双通道提升性能（主要相对intel公司的平台）
同配置的2个1g内存在机器支持双通道情况下插
性能比1个2g内存插 要提高30%
双通道的性能
在INTEL平台和AMD平台上有明显的差别!而且在高低配置上影响力也不同!
比如说个,CPU用478的P4 2.8C 用上双通道 DDR 400 性能提升超过30%!
又如说现在AM2闪龙与754的闪龙用不用双通道,性能差别并不大!一般情况下,INTEL的平台和AMD的高端CPU双通道性能发挥得比较好点!
主板支持就支持！主板不支持那就不支持了！！
你看看就行！支持双通道的主板一般4个内存插槽！两个颜色成一对！！
同一颜色的插同型号内存就是双通道！(用主板支持就支持！主板不支持那就不支持了！！
你看看就行！支持双通道的主板一般4个内存插槽！两个颜色成一对！！
同一颜色的插同型号内存就是双通道！（用evest 芯片组那里 北桥 可以看出支持双通道吗？及现在是什么模式。还有支持内存种类）
everest里的主板里的spd中的 Bank （内存库） 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。
1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）
2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）
3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内
存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72
线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0
开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽
1、内存的实际运行频率取决于速度最慢的那根内存，也就是说667会跟着533走，实际是533。
2、对硬件的损害：基本上不存在，这个你放心！
3、两条比一条快的原因：内存容量的提升在你所运行的系统下的效率比提升总线频率的效率来的高！这是个非线性的模式，你再加多内存还会快，但加到某一定容量后就只能靠提升总线频率来获取更多效能，这个是由操作系统所需的内存容量来决定的。
4、 关于速度：533 与667 基本上肉眼分辨不出速度的差别，上面说过了，增加内存容量的效能往往比总线频率提升的效能来的快，我们看WINDOWS XP在128M和512M（其他配置相同）运行的情况下，512M内存明显快的原因就是XP系统正常运行的物理内存基本上要160-400M,而128明 显不足，需要通过在硬盘上形成虚拟内存来达到正常运行的效果，而512的就可以直接读取，不需要虚拟，这样简化了运行流程提升了效率，WINDOWS VISTA也同样，可能需要至少1G才可以跑的流畅，512就明显不足了。
当然，在相同操作系统下，同容量的内存下，总线频率高的占优势，但肉眼基本上分辨不出，效能也差不了太多。
5、关于双通道：这个INTEL更多的是在玩弄概念，这个则是他的卖点，目的是让更多的人来买，而非双通道能带来质的飞跃。这个效能比单通道的提升将近3%，而且要看运行的是什么软件，实际利用的意义不大。
今 天,英特尔战略部门经理Carlos Weissenberg在秋季英特尔信息技术峰会上表示,2009年年底之前,DDR3内存都不会全面取代DDR2内存.Weissenberg通过幻灯 片向与会人员解释说,在未来的16个月内,DDR2内存仍将占据内存市场的主导地位.随着低电压DDR3内存的不断问世,明年内DDR3内存会取得巨大的 发展.届时将出现电压为1.35V的DDR3内存,而目前DDR3内存的电压主要是1.5V.此后,DDR3内存在市场中的张力会越来越大.不过 Weissenberg也表示无法预测DDR3内存的价格何时才能够更平易近人。
尽管Weissenberg承认目前DDR3内存还不能 大范围普及,但他说英特尔始终认为DDR3取代DDR2是大势所趋."我们正在与内存供应商进行合作,以推动DDR2更快向DDR3过 渡."Weissenberg表示,"我们未来的芯片组都将只支持DDR3内存,Nehalem处理器架构也是如此."
同时,参加本次IDF的奇梦达(Qimonda)资深市场总监Tom Trill也表示赞同英特尔的观点,并且他还在IDF上展示了奇梦达关于制造16GB和32GB DDR3内存的发展规划.
虽 然DDR3离我们绝大多数人还很遥远,但是DDR3内存的继任产品DDR4却已经被列入英特尔和奇梦达未来的发展蓝图中.Tom Trill预测,第一批DDR4内存有望在2012年问世,其总线频率约是2133MHz,运行电压是1.2V.同时他还预测,2013年应该可以看到 2667MHz、1.0V的DDR4内存产品.