《涨知识啦23》--SBD 的电流传输机制

大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。

图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为：

1.    热激发电流（半导体一侧的电子跨过势垒进入金属）

2.    隧穿电流  （电子隧穿通过势垒）

3.    复合电流  （耗尽区中的电子空穴发生复合）

4.    电子扩散流（耗尽区中的电子扩散）

5.    空穴扩散流（耗尽区中的空穴扩散）

图1正向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。

图2展示了SBD外加反向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-2分别为：

1.    热激发电流（金属一侧的电子跨过势垒进入半导体）

2.    空间电荷区产生电流

图2反向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。

以上就是SBD基本的电流输运机制的全部内容，欢迎大家一起交流讨论！

参考文献：

[1] Sze, S. & Ng, K.K.. (2006). Physicsof Semiconductor Devices: Third Edition. Physics of Semiconductor Devices:Third Edition. 10.1002/9780470068328.

[2] Baliga, B. J. (2008). Fundamentals ofPower Semiconductor Devices.