CMOS的关键参数VT！

最近有点技穷了，今天就简单抛一个VT的图出来，然后大家先看着，然后慢慢把费米能级的东西再搞搞，然后再详细说说吧！

VT的计算公式见下图：

对于MOS器件，看见的结构就是影响VT的所有步骤了：

1. 栅极材料：由其功函数影响VT；

2. 栅氧厚度： 栅氧厚度决定了其电容值，越厚电容越小，对VT是趋大作用；

3. 衬底浓度：衬底越浓，越难于反型，VT越高；

4. 衬底电压：衬底偏值效应，衬底电压越大，VT越高；

5. 源漏电压：会影响到耗尽区宽度，DIBL效应会导致VT降低；

6. 栅氧中电荷：栅氧中电荷会影响到VT，正负值对VT也有相应的影响；

7. Si/SiO2界面电荷浓度：一般对应于VT注入，与衬底同质注入VT增大，与衬底异质注入，VT降低；

8. 其实还有一个线宽的影响：短沟道效应和窄沟效应。

9. Lefft（有效沟道长度）：当源漏向沟道扩散尺寸变大的时候，会影响VT值，一般发生在异常情况下；

10. charge效应：类似天线效应，一般发生在等离子体步骤，会造成VT一高一低，如PAD刻蚀；

11. LDD影响：一般LDD会对VT有一定影响。

12. Spacer影响：侧墙尺寸偏大会造成Lefft变大，也会造成VT偏高。

13. 如果再加上降低接触电阻的salicide影响，影响VT的参数的工艺步骤就差不多了。

Note：

对于衬底浓度有上面的关系，而一般阱注入会应为工艺不同而不同，有的工艺只有一步阱注入，然后有一步VT注入；

标准一点的阱注入会有能量大的阱注入，能量中等的防穿通注入，以及能量最低、在表面的VT注入，3步注入都会对VT有影响，而每一步的敏感程度要视工艺略有差别，各位可以试试做做注入拉偏，或者前人有做过注入拉偏，可以拿过来看看。

由于影响VT的步骤会设计到平带电压，费米能级，各种能带弯曲，以及栅电容方面的东西，要讲清楚还是要顺一顺再写，今天就只是提一提各个步骤，下次再详细讲。