【调研纪要】HJT电池将进入10GW级别时代!

核心概要

1、理论效率解释:文献中Topcon效率略高于HJT是基于实验室非常高的技术比较的,在可商业化量产角度,HJT效率25%通过商业化设备+特殊加工处理就能达到,所以HJT能达到可商业化的最高电池效率。微晶技术将解决效率>25%的HJT电池电流和电压的跷跷板效应,进一步提高异质结效率

2、华晟产线情况:2021年3月18日开始流片,经过短短四个月时间,效率已达25.23%,另外最佳实验批次的平均效率达到24.71%,最高的有25.06%,这表明HJT目前在电池产线上平均效率是可拉得比较高。

3、HJT产业形势与未来发展:

1)HJT电池降本相关因素:①设备②浆料③高效化④N型单晶硅⑤工艺成⑥ITO

2)新进入者不断涌入。

3)未来发展需要全产业链匹配,包括电池结构、背板、主栅、硅片、封装材料、组件等相互协作。

4、三项重要的HJT电池技术改进:薄片化、铜替代和吸杂

1)薄片化:前提是表面钝化好、双面电极对称、平板工艺和工艺简单。薄片化降低对硅片自身品质的要求,提高对表面钝化和背表面反射的要求,牺牲一定电池效率。

2)铜替代技术:HJT低温工艺是唯一可以导入铜工艺的技术。第一是银包铜,新型的银包铜浆料具有降低HJT电池电极成本30%的潜力。第二是电镀铜,使用丝印金属浆料作为籽晶层、使用APCVD镀制绝缘层、使用光诱导化学镀而非电镀。

3)退火吸杂:低阻0.3-2.1退火片效率较正常基准高0.4%左右。

以下是8月20日的相关纪要全文,欢迎有兴趣的朋友在公众号留言进一步交流!

【纪要全文】

 ▌演讲嘉宾:HJT电池将进入10GW级别时代--安徽华晟CTO王文静

1、HJT电池的六大优势

(1)高效率

(2)大尺寸

(3)低衰减

(4)双面率高

(5)工艺简单

(6)薄片化,另外比较易于引入铜工艺,钙钛矿叠层非常方便。

2、HJT电池的理论效率问题:在与TOPcon比较时,易出现模糊概念,德国ISFH去年发布的理论文章显示,HJT电池的理论效率是27.5%,TOPCON电池的理论效率是28.7%;中国隆基公司上星期发表的理论文章则显示HJT电池的理论效率是28.5%,TOPCON电池的理论效率是28.7%,新的结果表明HJT电池的理论效率有所提高了,TOPCON则保持原水平,二者理论效率相差不大。

3、HJT电池的实验室效率:

(1)可商业化的最高电池的效率

分析截止2021年国际上最高效率记录,发现国内多家公司的效率都能达到25%以上。这些结果表明HJT电池的效率达到25%都是商业化的设备,而不是非常高级的技术做出来的,这完全是依靠一些商业化但经过了特殊加工处理之后得到的。所以实际上是可商业化的最高电池的效率。

(2)HJT电池产线的效率更新

(3)效率>25%的HJT电池的参数关系

若想增加电流,则开压会降低,二者存在矛盾(跷跷板现象)。引入微晶技术加入一个平衡板,电流电压平衡,效率达到最高。这将成为未来的方向。

(4)最新的HJT电池效率

华晟和迈为效率值是一样的平了世界记录,HJT未来电流提高,开压也没那么下降。

4、HJT电池的产线实际效率:

(1)华晟公司从2021年3月18日开始流片,经过短短四个月时间,效率已经达到了25.23%,另外最佳实验批次的平均效率达到24.71%,最高的有25.06%,这说明HJT目前在电池产线上平均效率是可以拉的比较高的。

分析华晟公司2021年7月18日全天产出效率分布情况,平均效率是24.23%,最高的是24.44%,24%以上的占93%,因此整个HJT产线效率不是问题。

(2)HJT电池工艺流程

(3)HJT设备格局

最近HJT设备领域形成了三大设备供应商集团——捷佳伟创、迈为、钧石,相比之下一部分设备供应商只做单项设备,但以上三者却是集成的。

5、HJT电池的产业形势:

(1)国内HJT电池新进的企业

(2)HJT电池降本相关因素:①设备②浆料③高效化④N型单晶硅⑤工艺成本⑥ITO

6、HJT未来发展:

(1)第一步产业链匹配

其中HJT电池的三大产业链问题:①硅片:高少子寿命硅片;掺杂浓度分布不均匀;金属杂质分布;博硅片技术等②电池:银包铜浆料;单面抛光;纳米硅/微米硅薄膜等③组件:无损切割;暗衰减;热衰减等。

(2)HJT电池技术改进之一——薄片化

硅片越薄,就要求表面复合速率越低,硅片减薄的前提:①表面钝化非常好②双面电极对称结构③最好是平板工艺④工艺步骤越简单越好。

同时薄片化对表面钝化提出更高的要求:①降低了对于硅片自身品质的要求②提高了表面钝化的要求③提升了对于背表面反射的要求④牺牲了电池的效率。

(3)HJT电池技术改进之二——铜替代技术

银用量高,HJT低温工艺是唯一可以导入铜工艺的技术。

银包铜:

电镀铜:

①使用丝印金属浆料最为籽晶层

②使用APCVD镀制绝缘层

③使用光诱导化学镀而非电镀

硅片退火吸杂:

析杂方法:①管式炉②链式炉

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