硅材料国家重点实验室简介
1985年，在浙江大学半导体材料研究所的基础上，由原国家计委批准建设硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)，88年正式对外开放。是国内最早建立的国家重点实验室之一。
褚君浩院士(主任)、张泽院士(副主任)、郑有炓院士、许宁生院士、范守善院士、李树深院士、沈保根院士、郝跃院士、杨德仁院士、欧阳世翕教授、陶绪堂教授、叶志镇教授、韩高荣教授。
杨德仁院士
主要从事硅单晶材料及半导体材料的基础科学与应用基础研究，已形成自己的特色，主要研究方向如下：
半导体硅材料的晶体生长，晶体加工和缺陷工程;
半导体薄膜生长、物性评价及器件应用研究;
复合半导体光电功能材料研究;
微纳结构与材料物理。
(1)2016年度国家技术发明二等奖——低功耗高性能软磁复合材料及关键制备技术
项目针对软磁复合材料长期存在的严重问题开展了深入研究，提出了在软磁粉末基体表面原位生成高电阻率软磁壳层，降低涡流损耗并保持高磁性能的技术思路，发明了多软磁相核壳结构复合材料，构建了高性能软磁合金新体系，制备出具有高磁通密度、高直流叠加等不同特性的系列软磁复合材料。项目达到国际领先水平，获得了系统的自主知识产权，授权发明专利43项，发表论文50余篇，推动我国软磁复合材料产业进入了世界先进行列。
(2)2016年度国家自然科学二等奖——荧光传感金属-有机框架材料结构设计及功能构筑
在材料科学研究领域，实时分析重金属离子、有机污染物、温度，以应对环境污染问题已迫在眉睫。该项目利用金属-有机框架材料独特的结构和功能可设计性强的优势，提出在框架材料中引入未配位的活性位点、混合配位的双稀土发光中心、基于功能基元有序取向与形貌控制的结构-功能协同等原创性设计思想，实现了对离子、有机分子和温度的高灵敏度、高选择性、高分辨率荧光传感。8篇代表性论文总影响因子119.198，SCI他引3105次。
(3)2013年度国家技术发明二等奖——钕铁硼晶界组织重构及低成本高性能磁体生产关键技术
浙江大学严密教授领导的磁性材料创新团队，原创性提出了晶界组织重构的技术思路，设计与合成新晶界相，取代传统生产工艺中自然形成的晶界富钕相，研发具有不同性能特点的新晶界相钕铁硼新材料;突破了新晶界相成分设计、基于新晶界相的合金烧结和热处理等关键技术，分别研发了高本征抗蚀性钕铁硼新材料和低重稀土高矫顽力钕铁硼新材料及其生产技术，与合作企业共同创新和集成速凝甩带-氢爆-气流磨-磁场压力成型-节能烧结-后处理生产工艺的关键技术和装备，突破了低成本高性能钕铁硼核心生产技术，建立了高品质、高一致性烧结钕铁硼节能生产的成套技术。研发的新材料分别具有不同的性能特点，抗蚀性大幅提高，韧性明显改善，节约宝贵的稀土资源，大幅降低生产成本，打破了日美对高端稀土永磁市场的垄断。
(4)2013年度国家自然科学二等奖——一维纳米半导体材料的可控生长及其机理
随着纳米碳管的发现，一维纳米半导体材料在信息、能源等领域的重大应用前景引起了广泛关注。从2000年起，杨德仁团队就开始了以硅为核心的纳米半导体材料的研究。经过十余年的研究，团队在国际上首先制备出了纳米硅管和纳米硒管。相比于纳米碳管，纳米硅管不易形成。因为在物理属性上，以石墨形式存在的碳呈现层状结构，在一定条件下可自发形成管状结构；而硅晶体呈现出金刚石结构，是非层状的，难以自发成管。因此，把非层状结构的硅材料制备成纳米管一直是一个国际难题。团队发展出半封闭金属环催化的方法，在国际上首次制备出纳米硅管。同时，团队提出了超声波诱导自组装新策略，创造性地运用水热和声化学相结合的方法，克服了硒为非层状结构而不易形成纳米管的障碍，在国际上首次制备出纳米硒管。除了首创两种元素半导体的纳米管的制备方法，杨德仁团队还提出了新的制备氧化物和硫化物一维纳米半导体材料的普适方法及其机理。