半导体光刻胶（2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯）
半导体光刻胶（2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯）
光刻胶是光刻成像的承载介质，其作用是利用光化学反应的原理将光刻系统中经过衍射、滤波后的光信息转化为化学能量，进而完成掩模图形的复制。目前，集成电路生产中使用的光刻胶一般由聚合物骨架、光致酸产生剂或光敏化合物、溶剂，以及显影保护基团、刻蚀保护基团等其他辅助成分组成 。
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人较贵先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸酯就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。
光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。
中文名：光刻胶
外文名：photoresist
别名：光致抗蚀剂
成分：感光树脂、增感剂和溶剂
分类：负性胶和正性胶
硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：光刻胶原理，小孔成像；技术源头，古老的相机；
（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；
（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
分类：
光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
图1 正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比
1-丙烯酸金刚烷酯121601-93-2
1-金刚烷基甲基丙烯酸酯16887-36-8
丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯7398-56-3
4-乙酰氧基苯乙烯2628-16-2
1,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯216581-76-9
2-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯249562-06-9
2-乙基-2-金刚烷基丙烯酸酯303186-14-3
1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯81665-82-9
2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯254900-07-7
甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯34759-34-7
2-异丙基-2-金刚烷丙烯酸甲酯297156-50-4
2-异丙基-2-金刚烷醇丙烯酸酯251564-67-7
gamma-丁内酯-3-基异丁烯酸酯130224-95-2
N-异丙基甲基丙烯酰胺13749-61-6
(9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯583036-99-1
(5-氧代四氢呋喃-2-基)甲基丙烯酸甲酯156938-09-9
1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯266308-58-1
1-异丙基-1-环己醇甲基丙烯酸酯811440-77-4
2-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯31480-93-0
n-butyl2-(bromomethyl)prop-2-enoate170216-64-5
2-(溴甲基)丙烯酸甲酯4224-69-5
甲基丙烯酸-9-蒽甲酯31645-35-9
2-oxo-2-((2-oxohexahydro-2H-3,5-methanocyclopenta[b]furan-6-yl)oxy)ethylmethacrylate[347886-81-1
2-乙烯基萘827-54-3
2-环己基丙烷-2-基甲基丙烯酸酯186585-56-8
2-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯195000-66-9
丙烯酸甲基环戊酯178889-49-1
丙烯酸1-乙基环戊酯326925-69-3
2-氧代四氢呋喃-3-基丙烯酸酯328249-37-2
4-叔丁氧基苯乙烯95418-58-9
4-(4-(丙烯酰氧基)丁氧基)苯甲酸69260-42-0
甲基丙烯酸-2,2,3,3,4,4,4-七氟代-丁酯13695-31-3
3-(4-vinylphenyloxy)-1-propene16215-47-7
acetic acid,4-ethenylbenzene-1,2-diol57142-64-0
1-(1-乙氧基乙氧基)-4-乙烯基苯157057-20-0
1-甲基环己基甲基丙烯酸酯76392-14-8
2-氧代-2-(2,2,3,3,3-五氟丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯1176273-16-7
2,5-二甲基己烷-2,5-二基双(2-甲基丙烯酸酯)131787-39-8
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