模拟电路学习一之三极管重新认识
之前感觉对三极管即熟悉又陌生,熟悉的是经常要用它,陌生的是“计算各个元器件的电压,电流、计算如何选择合适的三极管、计算电路静态工作点”,这些计算还是比较陌生的。
这几天先学习了三极管的理论知识,在通过一些实验,算是理解了一下,这里记录下。
1.三极管特性
【1】上图为NPN和PNP三极管的符号,当三极管工作在放大区的时候有:Ie = Ic + Ib,Ic = βIb ,即Ie = (1+β)Ib,
三极管处于放大区时,Ic不受Uce的控制,至于Ib大小有关。- 【2】三极管3个工作状态:
上面以NPN型三极管为例来说明吧,这几个状态非常重要,希望自己牢牢记住吧。
- 放大状态:对NPN三极管来说,当Uc>Ub>Ue时,三极管工作在放大区。对PNP三极管来说,当Uc<Ub<Ue,三极管工作在放大区。
- 饱和状态:当发射极和集电极均正向偏置时,则进入饱和区。上图如果某一个时刻电路为放大状态,其它提交不改变的情况下,缓慢调整UBB的电压,使得的Ub点的电位大于等于Uc点的电位,那么三极管开始进入了饱和区,此时电路Ic ≠ βIb, 此时继续增加Ubb的电压,Ic的电流也不会在继续增加了。通常将Ucb = 0的情况,称为临界饱和或临界放大状态。
三极管管压降 Uce = UCC - IcRc,(进入饱和状态时,三极管的压降非常小,硅管0.3V, 锗管约为0.1V),uce近乎等于0,则Ic = Ucc/Rc,视为集电极的饱和电流,从而根据这个电流除于放大倍数,则可以得到临界饱和时,基极电流Ib = Ucc/βRc,,这个在后续确定工作点时,以及选择电阻大小时候非常重要。 - 截止状态:
发射极和集电极均反向偏置,测试Ib约等于0,无法满足开启条件。
2.三极管例子分析(电流放大)
接下来用实验验证一下上面的理论,这次试验用的是2SC2786,三极管的主要参数如下图所示:
- 【1】限流电阻选择,从上面的特性可以看到,Ic最大能到20ma,Ib为20ma(大了也没有用,已经饱和了),三极管的放大系数一般为90倍,那么可以判断出基极Ib的临界饱和电流为Ib = 20/90 = 0.2222ma. 这样可以根据这个电流,来动态搭配电源和电阻的范围了。只要电流不超过0.222ma,就工作在放大区域。
- 【2】基极电压Vbe最大为4V,饱和电流Ib已经知道了,那么输入电源(Ui - RIb) <=4,三极管都是没问题的。根据这个公式,就可以断定电源和电阻的选型了。
【3】确定静态工作点,为了预防饱和失真,将静态工作点Ib=0.11ma,正如下图所示:
上图可以发现Ic=9.31ma,而Ib=0.11ma, 放大倍数q=9.31/0.11 = 84.6倍,接近90倍,基本满足理论分析值。
- 【3】让电路工作在饱和状态,按着之前的分析,在放大倍数为90的情况下,只需要让Ib达到0.22222ma即可。那么电路参数如下:
上图可以发现虽然基极电流已经达到0.225ma,但是Ic电流才15ma,这是由于随着Ic逐渐增加,放到倍数hfe先增加在降低。具体如下所示:
虽然上图Vce=6v,但仍很有参考意义。从图中可以发现当基极电流在15ma左右时,放到倍数Hfe为65倍左右,反观我们电路中的参数Ic=15ma,Ib=0.225,实际放大倍数为15/0.225 = 66.66倍。
【4】从上图中放大倍数和Ic的关系发现,当Ic=20ma时,Hfe大概为52左右,那么可以算出Ib饱和电流为20/52 = 0.375ma,具体看下面电路仿真。
上图可以发现确实如我们计算的那样
3.总结
在选择三极管时,在满足放大倍数的前提下,重点关注三极管的耐压Vce,Vbe,Vcb和Ic,Ib最大能多少。此外还要关心放大倍数随Ic的变化曲线。
通过计算出来的参数只能是理论值,实际工作中,往往由于器件的工艺,一些指标无法达到理论值,需要对一些参数做修改,也就是电路调试过程中发现的。电路时需要调试的