让美国人心惶惶的那项技术是什么

　　 薄膜体声波谐振器（thin-lm bulk acoustic resonator，简称FBAR），不同于以前的滤波器，是使用硅底板、借助MEMS技术以及薄膜技术而制造出来的。在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能，有较高Q值和易实现微型化等特点。

　　薄膜体声波谐振器技术特点

　　 近年来发展起来的薄膜体声波谐振器（FBAR）采用一种先进的谐振技术,它是通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振，这一谐振技术可以用来制作薄膜频率整形器件等先进元器件，薄膜体声波谐振器（FBAR）声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高、功率承受能力强、频率高（可达1-10GHz）且与IC技术兼容等特点，适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用，有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器，因此在新一代无线通信系统和超微量生化检测领域具有广阔的应用前景。被认为是实现微波单片集成电路（MMIC）的重要基础。

　　薄膜体声波谐振器应用方向

　　 这种电路主要用于微波信号的产生、放大、控制和信息处理，在民用商业的移动电话、无线通信、个人卫星通信网、全球定位系统、直播卫星接收和毫米波自动防撞系统等方面已形成巨大市场，并且广泛用于各种先进的战术导弹、电子战系统、通信系统、陆海空基的各种先进的相控阵雷达（特别是机载和星载雷达）等军事装备。

　　薄膜体声波谐振器研究进展

  • 　　1965年Newell便制成了布拉格反射形的薄膜谐振器。

  • 　　1967年制成CdS薄膜谐振器1980年实现了在 Si芯片上生长znO制成谐振频率为500MHz，Q值为9000的薄膜谐振器。

  • 　　1997年采用硅刻蚀技术和键合技术，构造出使压电膜悬空的密封腔，得到了中心频率为1.35GHz、Q值为540、Keff为6.4、插损为3dB的薄膜体声波谐振器。

  • 　　1998年他们利用布拉格反射层技术得到的体声波谐振器频率在1.8GHz，带宽为3.6Ao(即25MHz)，Q值为400

  • 　　2000年P.B.Kirby等研制的体声波滤波器则采用 PZT作为压电材料，在频率1.6GHz时，Q值为53，Kt为19.1%，带宽 IOOMHz，插损为 3dB。

  • 　　2001年Agilent Technologies公司利用AIN FBAR制造的 Duplexer，现在已经开始销售，频率约1.9GHz，其 Q值高达 2500，Kt为6.5，插损小于3dB。

  • 　　2002年韩国的K.W.Kim在研制了用于2GHz频段的AlNTFBAR，Q值为 577.18，Kt为4.3 ，带宽52MHz，插损为 2～3dB。

  • 　　2003年日本的 Motoaki Hara等在 Transducer0上发表了他们关于AINTFBAR的研究成果。该谐振器的基模位于2GHz，Q值达780，Keff为 5.36。

  • 　　2003年韩国的LG公司研究得到了AINTFBAR，中心频率约1.9GHz，Q值为1530，Keff为 6.8 ～7.3 ，插损0.45dB，隔离度 28dB。

  • 　　2004年韩国科技研究所微系统研究中心在超薄硅基片(50~m)上制作 了薄膜体声波谐振器，中心频率达 2.5GHz，具有很好的柔韧性，通过MEMS工艺加工易与MMIC集成，降低了器件的损耗。

  • 　　2005年Fujitsu Laboratories Ltd利用A1N薄膜作的TFBAR。中心频率达到10.3GHz，Q值为508，插入损耗仅为ldB。

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