NAND VT曲线

当CELL处于擦除状态时，可以把CELL当作一个普通MOS
只需要在栅极加较小电压就能使MOS管导通
当CELL处于编程状态时，就是把不同数量电子注入到了MOS浮删，从而在衬底到浮删之间形成一个电场，为了导通MOS管，需要在栅极加更大的电压克服这个衬底指向浮删的电场
往浮删注入越多的电子，衬底到浮删形成的电场越强，导致需要在MOS栅极需要加更大电压才能导通
所以往浮删注入不同数量的电子，CELL就处在不同的VT曲线状态
通过判断CELL的导通电压，就可以知道CELL状态