台积电公布N3节点相关信息：仍将使用FinFET工艺，于2022后半年量产

前两天台积电召开了最新一期的财务会议，会上他们公布了2020年第一季度的财务成果，更为让半导体业界关注的是，他们终于透露了关于自家N3节点的一些情况，WikiChip对这些信息做了汇总，我们一起来看一下。

图片来自于WikiChip，下同

根据台积电原先的计划和业界相关的报道，台积电的N5节点目前应该已经展开大规模量产，而在N5之后的下一个节点就是N3，他们计划在2021年内启用N3的风险试产，在2022年下半年启用该节点的规模量产。不像三星会在3nm时代引入全新的GAA工艺，台积电在综合了性能、成本等因素之后，决定在N3上面继续使用FinFET。

另外，台积电将N3的密度目标仍旧设定在1.7x，也就是比N5要高1.7倍，WikiChip预计它的密度将高达291.21MTr/mm²，没有超过300MTr/mm²，但这个数字仍然非常恐怖。而在性能方面，台积电预期N3将会在同功耗下相对N5提升10%~15%的频率，或是在同频率下减少25%~30%的功耗，进步明显。

另外在财务会议中，台积电还像往常一样提供了其他一些数据，比如各节点工艺的出货量占比。从上面的整理图上可以看到，第一季度中7nm晶圆的收入额仍然保持了很高的水平，达到35%。而在去年保持下跌的28nm节点在上个季度中的出货份额又有所回升，甚至还有古老的40/45nm也是如此。

再来看晶圆的总出货量情况，虽然受到疫情的影响，但先前应该有不少积存的订单，所以在上个季度中台积电总的晶圆出货量仍然保持了增长态势，不过相比上个季度的增长率，这个态势已经平缓了不少。