光束诱导电阻变化微光显微镜obirch
光束诱导电阻变化微光显微镜obirch其高灵敏度的侦测能力，可以侦测到半导体组件中电子-空穴对再结合时所发生出来的光线，捕捉集成电路异常发光点、异常电子-空穴对复合以及异常发热点，能够侦测到的波长约在700nm～1800nm左右。OBIRCH/TIVA微光显微镜可以广泛的应用于侦测深亚微米IC中各种组件缺陷所产生的漏电流，如：栅氧化层缺陷、栅氧化层漏电、闩锁效应、ESD失效、PN结漏电、F-N隧穿、机械损伤、衬底毁坏以及雪崩击穿等，可以实现在局部损耗样品的电气性能和结构的完整性的前提下对样品实现精确定位。
检测细微漏电，快速失效定位。#半导体# #芯片# #科技#
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