中国砸240亿美元跃进3D NAND闪存时代，但机会不多了

中国把半导体产业作为命脉来抓，国内最大也是最先进的存储芯片厂即将在武汉开工，总计耗资240亿美元，预计在2017年到2018年开始生产，而且中国国产存储芯片会跳过2D NAND闪存直接进入3D NAND闪存时代，起点可不低。不过在3D NAND市场上，四大豪门已经积累太多优势了，其中三星一家的3D NAND产能就占到了40%，国产NAND闪存要想打开市场，面临的难度可想而知。

集邦科技公布的全球主要的闪存芯片供应商报告中，三星2015年的NAND产能约为484.5万片晶圆，主流工艺是16nm。在3D NAND闪存上，三星是全球量产最早的供应商，2013年就量产V-NAND闪存了，当时还是32层堆栈的（第一代24层堆栈的没有规模量产），之后三星又推出了48层堆栈的第三代V-NAND闪存，并与去年底开始量产。

集邦科技公布的全球主要NAND厂商的产能及份额

三星在中国西安投资70亿美元建设新一代晶圆厂，主产的就是3D NAND闪存，在如此庞大的投资下，三星西安工厂去年1-8个产值就达到了115亿元。根据集邦科技的分析，三星在2016年有可能占到全球3D NAND闪存市场的40.8%份额，绝对是一家独大。

SK Hynix去年的产能约为249万片晶圆，主流工艺也是16nm，他们的3D NAND闪存芯片要在今年Q1季度才能量产，主要36层堆栈的MLC及48层堆栈的TLC闪存，3D NAND闪存市场份额预计为3.3%。

东芝/闪迪去年的产能约为588万片晶圆，主流工艺是15nm，不过3D NAND闪存也是要到今年Q1季度量产，主要是48层堆栈的MLC/TLC闪存，今年预计份额为5.4%。

美光/Intel合资的IMFT公司去年产能219.5万片晶圆，主流工艺为16nm，去年Q4季度开始量产32层堆栈的MLC/TLC闪存，预计今年的份额为17.6%。

此外，Intel虽然与美光合资生产闪存，但去年已经决定把中国大连的Fab 65工厂从芯片组生产转向闪存制造，总计投资55亿美元，分析认为投产的产品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint闪存。

随着三星、Intel等国际公司扩大中国晶圆厂的3D NAND闪存产能，中国大陆所占的3D NAND产能有可能从目前的8%提高到2017年的超过10%。

另一方面，中国本土自建的国产NAND工厂本月底正式动工，预计2017年到2018年正式建成投产，由武汉新芯科技公司负责运营，而且所生产的芯片直接进入3D NAND闪存时代，技术来源是飞索半导体，但不确定他们的3D NAND闪存具体是什么工艺，技术水平与三星、Intel相比如何。

国产存储芯片晶圆厂的产能目标是每月20万片晶圆，算起来一年就是240万片了，差不多达到了SK Hynix现在的水平，不过月产20万片晶圆的目标不是一蹴而就的，一座晶圆厂通常的月产能不过是数万片，所以20万片的月产能需要多年的产能建设才有可能。

剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。