比利时imec与该国根特大学合作，开发了一种高速硅模拟时间交织器，该交织器使用PAM-4调制，以700 mW的功耗实现高达100 Gbaud（200Gb/s）的信号速度。时间交织是一种使用多个相同的A/D转换器（ADC）来实现高于一个ADC所能支持的采样率的技术。新架构旨在成为数据中心中高速光收发器的重要组件，可以处理未来的数据爆炸。为了应对数据爆炸，近年来，数据中心增加了通过光纤电缆的分层网络互连服务器机架的光链路数量。Imec解释说，这些链路需要低成本，低功耗，但需要将信号速度提高到至少100Gbaud。
到目前为止，这些高速光收发器必须使用InP衬底，但是由于制造成本高，InP工艺不适合大规模生产，因此需要使用更便宜的基于Si的CMOS工艺来实现。
但是，由于模拟带宽在基于Si的CMOS工艺中受到限制，因此无法实现所需的高速，并且D/A转换器（DAC）的带宽很难超过50GHz。该研究小组现已成功使用55nm SiGe BiCMOS技术实现了更高的带宽。
BiCMOS芯片结合了四个DAC的输出和四个25Gbaud流的时间交织以达到100Gbaud的信号速率。这等效于以100GSps工作的单个DAC，尽管使用PAM-4调制格式实现200 Gbps的数据速率，原型的总功耗仍可降低至700mW。该研究小组指出，与Si一样，SiGe BiCMOS技术也可以扩展到大规模生产，从而为为下一代数据中心提供经济高效的高速光收发器铺平了道路。
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